外媒報導,記憶體大廠美光 (Micron) 採大膽策略,跨越第四代高頻寬記憶體 (HBM) HBM3,直接進軍第五代 HBM3E,目的在搶占下代 HBM 市占率。計畫開始有回報,美光獲 GPU 大廠輝達 (NVIDIA) 訂單,並開始增加供應後,2023 年底全面供應輝達 HBM3E 產品。
韓國媒體 BusinessKorea 報導,3 月時韓系記憶體大廠 SK 海力士開始量產,並交貨八層堆疊的 HBM3E 產品,三星 4 月緊跟在後。4 月底 SK 海力士計劃第三季完成 12 層 HBM3E 開發,2025 年供貨,但一週內就修改計畫,提早 5 月提供樣品,第三季量產。
韓國市場人士說法,因美光第三季財報電話會議宣布,第五代 HBM (HBM3E) 營收超過 1 億美元,突顯美光積極進軍 HBM 的企圖心獲回報,且 2025 年市占率將提高到 25%。
目前 9% HBM 市占的美光,正在考慮將馬來西亞工廠轉為 HBM 專用生產線,擴大台中 HBM 產線。美光日本新廣島工廠將為 HBM 生產基地,鞏固 HBM 市場主要供應者。隨著高效能運算、人工智慧應用和 GPU 需求持續成長,HBM 市場競爭加劇,美光策略和 HBM 技術進步,成為 SK 海力士和三星的強大競爭對手。
美光來勢洶洶,韓國市場人士表示,三星 HBM3E 還在取得輝達認證,目標是第三季完成八層堆疊產品認證,第四季完成 12 層產品認證。如果沒有三星,全球 HBM 市場不可能有充足供應,三星今年也要將 HBM 供應量年增三倍以上,2025 年增兩倍多。三星已提供 12 層樣品,並 2025 年量產 12 層 HBM3E。
拿下全球 HBM 市場 53% 市占率的 SK 海力士,定 2026 年量產 12 層堆疊第六代 HBM (HBM4) 提前到 2025 年,清州 M15x 工廠建立整合 HBM 產線,包括 EUV (極紫外線) 設備,2025 年竣工,2026 年第三季營運。
(首圖來源:科技新報攝)