三星 2 月發布首款 36GB 12 層 HBM3E 記憶體，根據業界消息，三星已於第二季開始量產這款 HBM3E 產品，正供應給特定客戶。
據韓媒 BusinessKorea 報導，12 層 HBM3E 是利用矽穿孔（TSV）技術將 DRAM 記憶體晶片堆疊到 12 層，這也成為下半年 AI 半導體市場重要戰場。
根據最新業界消息，三星 HBM3E 可望於第三季獲得認證 NVIDIA出貨，待相關程序完成後，將可望量產供貨。倘若未通過，這些預生產的產品可能成為庫存，而三星 HBM 驗證的消息有望在近期三星財報會議中獲得確認。
SK 海力士也加入競爭行列，準備第三季量產 12 層 HBM3E 產品。據報導，SK 海力士目前向 NVIDIA 供應之前的 8 層 HBM3E，但尚未收到 12 層版本的驗證申請，不過 SK 海力士將量產時間表從明年提前至第三季，加速領先市場的腳步。
這次競賽中的黑馬美光，則計劃下半年完成 12 層 HBM3E 的量產準備，明年供應給 NVIDIA 等主要客戶。報導指出，目前尚未有記憶體公司決定向 NVIDIA 供應 12 層HBM3E，NVIDIA 很可能考慮三間公司的出價，以滿足需求並獲取優惠的價格。
業界人士指出，即使 12 層 HBM3E 價格可能因競爭加劇而略下滑，但下半年顯然是決定 HBM 市場格局的時候，「關鍵在於各間公司能多大程度提高良率」。
誰先向 NVIDIA 提供 12 層 HBM3E 產品，將決定 SK 海力士能否維持 HBM 領先地位、三星電子能否扭轉趨勢，抑或是美光迎頭趕上，這些都將牽動每間公司的市場地位和財務健康狀況。
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（首圖來源：SK 海力士）
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