根據 KeyBanc Capital Markets 的報告，台積電的 N2 製程目前表現出卓越的領先優勢。截至 2025 年中期，台積電的 N2 製程良率大約達到 65%，這項數據顯著的超越了其主要競爭對手，這使得台積電在全球晶圓代工領域持續保持領導地位。
報告指出，為了鞏固並擴大這一領先優勢，台積電正持續投入於 N2 製程的良率提升工作，公司目標是在 2026 年前將 N2 製程良率進一步提升至接近 75% 的水平。為達成此一目標，台積電的製程工程師們正積極解決多項技術挑戰，包括多重圖案極紫外光（EUV）曝光中的拼接（stitching）問題與疊對（overlay）控制。這些技術改進對於確保晶圓上的電路圖案精確對準至關重要，直接影響最終產品的良率與性能。
此外，台積電還在進行工具與製程層面的全面優化，例如部署先進的薄膜（pellicle）以減輕光罩顆粒污染的影響。這些細緻入微的優化措施，共同推動 N2 製程的良率向更高點邁進，確保台積電在未來的晶片製造市場中保持強勁的競爭力。
相較於台積電，英特爾的 Intel 18A 製程良率目前位居第二，進步幅度也令人矚目。截至報告發布之際，Intel 18A 製程的良率為 55%。值得注意的是，這一數字反映了其在前一季 50% 的良率基礎上達成了顯著改善的目標，這代表英特爾在製程優化和缺陷減少方面取得了積極成效。
英特爾的未來發展路線，包含了一系列雄心勃勃的計畫。其中，預計 Panther Lake 處理器將在 2025 年底前開始使用 Intel 18A 製程進行大規模生產。報告預期，透過持續的製程優化和缺陷減少措施，英特爾有潛力將 Intel 18A 製程的良率推升至 65% 至 75% 的範圍內。如果這一改進能實現，將使英特爾的良率超越三星。
展望更遠的未來，英特爾已規劃在 2026 年下半年推出 Intel 18A-P 的改良版，此版本將專為大量晶圓代工客戶量身訂製。Intel 18A-P 的技術增強將牽涉修改光罩，以及進一步的鰭片邊緣平滑處理，這些措施目的減少圖案錯誤和缺陷。如果 Intel 18A-P 製程能夠維持與原本 Intel 18A 製程相當的良率，市場對英特爾晶圓代工業務的預期將顯著提升。
報告強調，儘管業界有傳聞表示，英特爾可能加速其發展路線，跳過 Intel 18A-P 直接進入 Intel 14A 製程，但報告認為，這種情況發生的可能性不大。報告指出，Intel 18A-P 相對於台積電 N2 製程的競爭力，以及 Intel 14A 製程預計在 2027 年底，或 2028 年初才能開始生產的時間點，都使得跳過節點的策略既充滿風險，又具操作複雜性。這代表英特爾更傾向於穩健的推進其既定路線，逐步提升技術成熟度與良率。
最後，與台積電和英特爾形成鮮明對比的是，三星的 2 奈米製程。其代號為 SF2 的製程技術尚未展現出有意義的良率提升。目前，SF2 的產量大約保持在 40% 的水平，這遠低於台積電和英特爾的水準。報告將三星 SF2 良率表現不佳歸因於多重因素，包括晶圓級缺陷問題，以及 EUV 圖案化能力的緩慢提升。
三星的下一代 2 奈米節點製程目前預計在 2027 年初推出，然而，為了保持在先進製程領域的競爭力，三星將需要在此之前達到實質性的良率提升，這對於三星而言是一項艱鉅的任務。因為其不僅需要解決當前的技術瓶頸，還需加速 EUV 相關的產能建設與良率優化，才有機會能迎頭趕上台積電和英特爾的腳步。
總而言之，截至 2025 年中期，台積電的 N2 製程以 65% 的良率遙遙領先，並設定了更高的良率目標。英特爾的 Intel 18A 製程正迅速追趕，良率達到 55%，並透過其路線展現出在未來達到與台積電相近水平的潛力。至於，三星的 SF2 製程則面臨嚴峻的良率挑戰，僅為 40%，其未來競爭力將取決於能否在短期內實現顯著的技術突破和良率提升。這場先進製程良率的競賽仍在持續進行，其結果將深刻影響全球科技產業的格局和未來發展。
(首圖來源：台積電)
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