叫陣三星 400 層！鎧俠、Sandisk 發表全球最高儲存密度 3D NAND

鎧俠（Kioxia）與 Sandisk 上週宣布，已開始提供最新 332 層 3D NAND Flash 記憶體樣品。新一代產品 BiCS10（第 10 代 BiCS）3D TLC NAND 主要鎖定資料中心儲存應用，不僅兼顧高密度與高效能，儲存密度方面更有望超越三星最新 V10 世代 400 層 3D NAND。

與前幾代不同，BiCS10 鎖定資料中心等企業級儲存市場，因為在這類應用中，位元密度與效能的重要性高於製造成本。BiCS10 採用 332 層堆疊，面積儲存密度超過 29 Gb/mm²、提升 59%，效能比前代提升約 33%，資料傳輸速度達 4,800 MT/s，可支援採用 PCIe 5.0 與 PCIe 6.0 介面。

至於消費性市場，鎧俠與 Sandisk 則計劃持續提供 BiCS9 NAND，BiCS10 是否用於高效能消費性 SSD，仍將取決於市場供需情況。

鎧俠表示，新產品可將讀取延遲降低約 4 微秒（約降低 10%）、讀取能耗也降低約 25%，由每 GB 約 100 mJ 降至 75 mJ。這些改善來自全新設計的讀取機制，改變連續讀取時未被選取字線（Word Line）的運作方式。

鎧俠與 Sandisk 將分別在不同工廠生產 BiCS9 與 BiCS10。在日本岩手縣北上市的最新 Fab 2 晶圓廠負責生產旗艦級 332 層 BiCS10；位於三重縣四日市生產基地，則持續負責 218 層 BiCS9 的量產。

據悉，Fab 2 配備鎧俠最先進的製造設備，更適合生產最高密度的 BiCS10；至於技術成熟的四日市工廠，則更適合量產面向消費市場的 BiCS9。此外，四日市廠大部分設備已完成折舊，可用較低成本生產主流 NAND，並將最新產能保留給 Fab 2，以生產最先進 NAND 產品。