半導體埃米時代生產利器，imec 展示最新 High-NA EUV 技術進展

全球半導體技術研究重鎮的比利時微電子研究中心（imec），日前國際光學工程學會（SPIE）先進曝光微影成形技術會議，展示 High-NA（高數值孔徑）曝光技術的大進展，含顯影與蝕刻製程的開發、新興光阻劑與塗料測試、量測與光罩技術最佳化等。因 imec 與台積電、英特爾等國際大廠密切合作，業界預期先進製程 2025 年後進入埃米（angstorm）時代，High-NA 曝光技術將是關鍵。