Author Archives: 蘇 子芸

印度原型快中子增殖反應爐達臨界,降低鈾資源依賴

作者 |發布日期 2026 年 04 月 07 日 9:28 | 分類 核能 , 能源科技

根據外電報導,印度總理莫迪 6 日表示,位於卡爾帕卡姆(Kalpakkam)的原型快中子增殖反應爐(Prototype Fast Breeder Reactor, PFBR)已達臨界狀態,裝置容量 500 MWe。未來正式運轉後,印度將成為繼中國、俄羅斯、法國,少數具備商業化快中子增殖反應爐能力的國家之一。 繼續閱讀..

抗輻射 Wi-Fi 技術亮相,強化核電廠巡檢機器人通訊能力

作者 |發布日期 2026 年 04 月 04 日 10:46 | 分類 半導體 , 晶片

根據 Tom’s Hardware 報導,來自東京科學研究所(Institute of Science Tokyo)的研究團隊,於今年 2 月在美國舊金山舉行的 IEEE 國際固態電路會議(ISSCC)上,發表一款具備高抗輻射能力的無線接收晶片,瞄準核電廠除役作業中機器人通訊受限的問題。 繼續閱讀..

DeepSeek V4 傳改用華為 AI 晶片,阿里巴巴、字節跳動和騰訊搶下單

作者 |發布日期 2026 年 04 月 04 日 7:44 | 分類 AI 人工智慧 , 中國觀察 , 半導體

根據《The Information》報導,中國 AI 新創 DeepSeek 即將推出的新一代模型 V4,將採用華為最新 AI 晶片運行。為因應模型上線需求,包括阿里巴巴、字節跳動與騰訊等中國科技巨頭,已提前下單華為新一代晶片,訂單規模達數十萬顆。 繼續閱讀..

HBM 堆疊逼近極限,Hybrid Bonding 將成記憶體下一步關鍵技術

作者 |發布日期 2026 年 04 月 03 日 17:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據研調機構 counterpoint 報告,目前主流 HBM 仍採用微凸塊(micro-bump)搭配熱壓鍵合(TCB)進行晶片連接,並已支援 12 至 16 層堆疊。然而,隨著未來 HBM 朝 20 層以上發展,微凸塊在訊號完整性、功耗與散熱表現上的限制逐漸浮現,使產業開始尋求新的解決方案。 繼續閱讀..