根據南韓媒體《每日經濟》的報導指出,面對當前記憶體市場不論 DRAM,或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況,南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始,提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。另外,還將持續增加 14 奈米製程的 NAND Flash 產量。目的在於以更具優勢的成本競爭力,達到獲利提升的目的。
SK 海力士 2017 年將擴大投資,期望繼續掌握市場競爭優勢 |
作者 Atkinson|發布日期 2017 年 07 月 25 日 11:45 | 分類 國際貿易 , 手機 , 會員專區 |