沃爾瑪(Wal-Mart)可說是美國企業大力推展使用綠能的先鋒,至 2015 年已經安裝 142 百萬瓦(megawatt)容量太陽能電池,並打算達成 100% 使用綠能的目標,為了配合太陽能,沃爾瑪也開始設置能源儲存計畫。 繼續閱讀..
Category Archives: 零組件
AMD 第 3 季財報認列修改晶圓供應協定費用 淨虧損 4.06 億美元 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2016 年 10 月 21 日 10:15 | 分類 GPU , 國際貿易 , 晶片 |
處理器大廠超微 (AMD) 於台北時間 21 日上午公佈 2016 財會年第 3 季(截至 9 月 24 日)財報。報告顯示, AMD 第 3 季營收為 13.07 億美元 (約新台幣 413.47 億元),高於 2015 年同期的 10.61 億美元,也高於上一季的 10.27 億美元。淨虧損來到 4.06 億美元,相較 2015 年同期的淨虧損 1.97 億美元相比有所擴大,每股虧損為 0.50 美元。
SEMI 北美半導體設備 BB 值連續 10 個月站穩 1 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2016 年 10 月 21 日 10:00 | 分類 晶片 , 零組件 |
國際半導體設備材料協會(SEMI)20 日公布,2016 年 9 月北美半導體設備製造商接單出貨比(Book-to-Bill ratio,BB 值)初估為 1.05,創 7 月以來新高,連續第 10 個月處於 1 或更高的水準。1.05 意味著當月每出貨 100 美元的產品就能接獲價值 105 美元的新訂單。8 月 BB 值終值報 1.03。 繼續閱讀..
晶片廠增加投資!日本設備訂單增幅 33 個月來最大 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2016 年 10 月 21 日 9:40 | 分類 晶片 , 零組件 |
根據日本半導體製造裝置協會(SEAJ)20 日公布的初步統計顯示,2016 年 9 月份日本製半導體(晶片)製造設備接單出貨比(book-to-bill ratio;BB 值)較前月下滑 0.2 點至 0.98,連續第 3 個月下滑,且為 10 個月來首度跌破 1;BB 值低於 1 顯示晶片設備需求低於供給。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20161021 |
| 作者 technewsdaily|發布日期 2016 年 10 月 21 日 9:37 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經 |
手機DRAM 將增至8GB,三星供貨料用於明年S8
行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布,智慧手機將進入8GB DRAM 年代,該公司已經開始生產,外界預料將用於明年初問世的Galaxy S8…
被 Note 7 炸怕了?三星 S8 傳找死對頭 LG 供應電池 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2016 年 10 月 21 日 9:10 | 分類 Samsung , 手機 , 電池 |
已被三星賜死的 Galaxy Note 7 會發生爆炸、起火的真正原因目前仍不明。而三星在 9 月 2 日宣布第一次召回時表示,Note 7 會接連發生爆炸,主要是因為某家電池供應商製程發生細微誤差,導致陰極和陽極碰觸而起火。該家出問題的電池廠據悉就是三星集團公司三星 SDI(Samsung SDI),而 Note 7 另一家電池供應商為日本 TDK 香港子公司 Amperex Technology Limited(ATL)。 繼續閱讀..

格羅方德 2016 上半年虧損逾台幣 400 億 重慶設廠計畫也最終告吹 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2016 年 10 月 20 日 13:30 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 |
就在全球晶圓代工龍頭台積電受惠於需求增溫,拉抬業績的情況下,2016 年第 3 季營收創下單季歷史新高紀錄的同時,看在全球排行晶圓代工排行 2 哥格羅方德 (Global Foundries) 的眼裡真是五味雜陳。根據格羅方德大股東,阿聯酋阿布達比先進技術投資公司 (ATIC),也就是現在的穆巴達拉發展公司 (Mubadala) 9 月公布的 2016 年上半年度財務報表顯示,其半導體技術事業分部 (主要是格羅方德) 淨虧損達 13.5 億美元 (約新台幣 425.45 億元) ,較 2015 年同期淨虧損擴大至 67% ,而且超過 2015 年全年淨虧損 13 億美元 (約新台幣 409.7 億元) 。
2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2016 年 10 月 20 日 12:40 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 |
隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈,包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長,近期價格也擺脫低潮,持續上漲,這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導,在這波儲存晶片的熱潮下,中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然,這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差,但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。



