韓國媒體 MoneyToday 報導,記憶體大廠三星將第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程開發延後六個月到 6 月才完成。三星之前宣稱第六代 10 奈米級 1c DRAM 製程 2024 年底開發完並量產,但良率沒有提升,導致時程再延後半年,這會使預定下半年量產的第六代高頻寬記憶體(HBM4)一併延後。
修改部分設計,三星第六代 10 奈米級 1c DRAM 延後半年 |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 01 月 21 日 13:00 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |