Category Archives: 記憶體

DDR5 成本與品質難在市場競爭，長鑫存儲改設計使量產時間延後至年底

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 24 日 15:50 |

分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

根據 Tom’s Hardware 的報導，中國記憶體廠商長鑫存儲（CXMT）為了提高品質，不得不將其 DDR5 記憶體的量產延後至 2025 年末。不過，有消息指出，該公司 DDR5 晶片的品質目前似乎已與台廠南亞科相當，在良率與品質的提升，加上長鑫存儲不斷擴大的產能的情況下，不僅讓規模較小的台系廠商，甚至全球廠商都受到威脅。

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記憶體飛向外太空，美光推首款航太級 SLC NAND Flash

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 24 日 14:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 航太科技

美光發表首款通過航太級驗證、具備抗輻射能力的單層儲存單元（SLC）NAND 快閃記憶體，成為其航太記憶體產品線的起點，並著手籌組航太工程實驗室，瞄準太空產品市場。繼續閱讀..

DDR6 登場？預估 2027 量產導入資料中心和高階筆電

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 24 日 11:50 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

面對生成式 AI 與高效能運算（HPC）需求快速上升，記憶體領域展現出新一波升級趨勢。國際標準機構 JEDEC（固態技術協會）已於 2024 年完成 DDR6 標準制定，預計 2026 年完成驗證，並於 2027 年導入首波伺服器與 AI 平台，做為取代 DDR5 的次世代記憶體主流架構。繼續閱讀..

讓競爭對手眼紅！AI 市場需求拉抬 SK 海力士第二季營收獲利均創新高

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 24 日 7:30 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

韓國記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 發布截至 2025 年 6 月 30 日為止的第二季財報，營收金額為 22.232 兆韓圜，營業利益為 9.2129 兆韓圜，營業利潤率為 41%，淨利為 6.9962 兆韓圜，淨利率為 31%。SK 海力士表示，單季營收和營業利益均超越了 2024 年第四季最高業績表現，創下了單季業績新高紀錄。

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三星困境都怪自己！2018 年黃仁勳曾上門尋求三大合作遭短視拒絕

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 23 日 13:00 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

三星電子的半導體產業版圖，尤其晶圓代工（Samsung Foundry）持續遭逢大挑戰，雖努力解決最先進製程低良率問題，但不免影響下代 1.4 奈米進度。熱門高頻寬記憶體（HBM）市場，三星也因無法打進 GPU 大廠輝達供應鏈，讓出記憶體龍頭寶座給競爭對手 SK 海力士。

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三星月底送 HBM4 樣品給 AMD 及輝達

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 23 日 9:00 |

分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

兩年來人工智慧（AI）蓬勃發展，高頻寬記憶體（HBM）市場競爭也更白熱化。SK 海力士憑 HBM3 和 HBM3E，成為 DRAM 市場領先者，三星 HBM3 出師不利，一直沒有得到 GPU 大廠輝達供應許可，影響營收，還丟掉產業第一名寶座。

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受匯損影響！力積電 Q2 淨損擴大至 33 億元，中介層已出貨

作者林妤柔|發布日期 2025 年 07 月 22 日 17:07 |

分類半導體 , 晶片 , 記憶體

力積電今日舉行第二季法說會並公布財報，自結合併營收為新台幣 112.78 億元、季增 1.5%，營業毛損 10.22 億元，毛利率約 -9%，歸屬母公司淨虧損 33.34 億元，每股虧損 0.8 元。繼續閱讀..

輝達獲准出口 H20 至中國，HBM 供應商 SK 海力士積極生產

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 22 日 13:20 |

分類 AI 人工智慧 , GPU , 半導體

韓國媒體 ZDnet Korea 報導，SK 海力士因輝達 (NVIDIA) 獲得許可，重新中國市場販售 AI 晶片 H20，將擴大 HBM3E 的 8 層堆疊產量，為 SK 海力士帶來意外營收，提升營運動能。

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中國長江存儲拚全球 NAND Flash 市占 15%，籌建全國產設備產線規避美國制裁

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 07 月 22 日 10:40 |

分類中國觀察 , 半導體 , 材料、設備

2022 年底被美國商務部列入實體清單後，中國 NAND Flash 製造商長江存儲已經無法取得美系先進晶圓製造設備、但該公司未因此停下腳步，Tom′s Hardware 引用市場消息指出，長江存儲不僅預計 2024 年底將月產能提升至 13 萬片，更計劃至 2026 年底挑戰全球 NAND Flash 產量的 15%。此外，長江存儲正推動一條全國產設備試驗生產線，成規避美國制裁的方式之一。

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顯示卡記憶體自由升級？是 1990 年代玩家才懂的浪漫

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 21 日 11:30 |

分類 AI 人工智慧 , GPU , 半導體

現在顯示卡市場，VRAM（視訊隨機存取記憶體）已成為遊戲與創作體驗的關鍵指標。然而，現代 GPU 的 VRAM 容量無法擴充，用戶若遇到容量瓶頸，只能整張卡更換。繼續閱讀..

韓媒：三星來了！1c DRAM 良率突破 50%，HBM4 下半年量產

作者蘇子芸|發布日期 2025 年 07 月 18 日 15:35 |

分類 AI 人工智慧 , Samsung , 半導體

三星電子傳出已成功突破 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程的良率門檻，達到超過 50%，計劃導入第六代 HBM（HBM4），並在下半年量產。繼續閱讀..

HBM 價格戰明年開打？SK 海力士股價慘、拖累美光

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 07 月 18 日 9:10 |

分類國際貿易 , 記憶體 , 財經

美國記憶體大廠美光（Micron Technology, Inc.）面臨高頻寬記憶體（HBM）價格戰即將開打疑雲，股價隨韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）殺低。繼續閱讀..

LPDDR4X 供給緊縮推升價格，智慧手機產業加速導入 LPDDR5X

作者 TechNews|發布日期 2025 年 07 月 17 日 15:29 |

分類半導體 , 手機 , 記憶體

TrendForce 最新研究，韓系、美系記憶體原廠 2025~2026 年將大幅減少或停止供應 LPDDR4X，然而配套手機處理器晶片規格卻未能同步支援 LPDDR5X，導致供需缺口浮現。為避免供應缺口影響生產，品牌廠擴大採購 LPDDR4X，是推升此波合約價格上漲的主因。主流供應商減少生產舊世代產品後，LPDDR4X 供應收斂成必然趨勢，預估此波漲勢至少延續至明年初，待品牌擴大採用 LPDDR5X 後才會舒緩。繼續閱讀..