散熱提升 3.5 倍，SK 海力士推業界首款高效散熱行動 DRAM |
作者
Atkinson|發布日期
2025 年 08 月 28 日 14:50 |
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韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，開發完成並開始供應業界使用的首款採用 High-K EMC 材料高效散熱移動 DRAM 產品。
3D DRAM 材料瓶頸突破！比利時實現 120 層 Si / SiGe 疊層 |
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作者
蘇 子芸|發布日期
2025 年 08 月 25 日 11:45 |
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比利時 imec（比利時微電子研究中心） 與根特大學（Ghent University） 宣布，300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si / SiGe 疊層結構，為推動 3D DRAM 的重要突破。 繼續閱讀..
建興儲存科技全球首發搭載 KIOXIA 第 8 代 BiCS FLASH™ 的 PCIe® 5.0 工業級 SSD |
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作者
TechNews|發布日期
2025 年 08 月 19 日 9:00 |
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建興儲存科技（SSSTC）推出最新工業級固態硬碟產品 —— SSSTC CA8 系列 PCIe® 5.0 NVMe™ SSD，採用主流 M.2 2280 規格，提供 512 GB、1 TB、2 TB 及 4 TB 等多容量選擇，是全球首發結合 KIOXIA BiCS FLASH™ 第 8 代 3D 快閃記憶體與 PCIe Gen5 x4 介面的工業級 M.2 SSD。
三星 HBM 三問題還沒打入輝達供應鏈，只能全力當博通供應商 |
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作者
Atkinson|發布日期
2025 年 08 月 18 日 16:30 |
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韓國朝鮮日報報導，三星電子（Samsung Electronics）原定最快第二季供貨人工智慧（AI）晶片大廠輝達（Nvidia）第五代高頻寬記憶體（HBM3E），但這批 12 層 HBM3E 交貨時程卻遭遇意外延期。SK 海力士（SK Hynix）與美光（Micron）已搶先供貨輝達，使三星 HBM 競爭壓力日益增加。
