《路透社》報導，美中科技戰影響下，衝擊到南韓記憶體製造商 SK 海力士中國無錫廠擴產計畫。原本 SK 海力士希望中國無錫廠採用含極紫外光曝光設備 EUV 先進製程生產記憶體，以因應市場需求，然而美國政府限制 EUV 設備進入中國，擴產計畫陷入膠著。
Category Archives: 記憶體
PC 需求暫歇、DRAM 價格連三降，今後恐續跌 |
作者
MoneyDJ|發布日期
2021 年 11 月 18 日 9:00 |
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因 PC 需求暫歇，加上供應鏈混亂衝擊智慧手機生產，拖累 DRAM 主流品價格連 3 個月下滑，且今後恐續跌。
出貨小幅上揚及 DRAM 報價持續走升，第三季整體 DRAM 產值季成長達 10% |
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作者
TechNews|發布日期
2021 年 11 月 16 日 14:00 |
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根據 TrendForce 調查顯示，今年初以來因 DRAM 報價翻漲以及供應鏈缺料，多數採購為避免斷貨而不斷擴大拉貨，使得需求端至年中持續強勁。然而，因疫情導致的零組件長短料的問題對於終端產品組裝的衝擊也逐漸加 劇，促使部分廠商開始減少購買屬相對長料的記憶體，尤其以 PC OEMs 業者的態度最為明顯。不過所幸伺服器端的需求仍相對有所支撐，帶動多數 DRAM 供應商第三季出貨仍有小幅增長，加上 DRAM 報價走揚，推升第三季 DRAM 總產值仍有 10.2% 的季成長，達 266 億美元。
AI 發展驅動高效能運算需求提升，仰賴 HBM 與 CXL 優化硬體效能 |
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作者
TechNews|發布日期
2021 年 11 月 15 日 14:10 |
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根據 TrendForce 最新發表的伺服器報告指出，近幾年受到新興應用的激勵，加速了人工智慧及高效能運算的發展，且伴隨著仰賴機器學習及推論的需求提升，建構出的模型複雜度隨著需求的精細程度有所增加，因此在計算時需處理的資料量隨之增大。在此情境下，龐大的資料處理量受硬體效能侷限， 導致使用者在設備的建置面臨了效能、容量、延遲度以及成本間的取捨問題，刺激 HBM（High Bandwidth Memory）及 CXL（Compute Express Link）的出現。功能上來說，HBM 為新型態記憶體， 主要協助更多元、高複雜運算而需要的I/O輔助，而 CXL 則為使記憶體資源共享的協定，提供 xPU 更為便捷的應用。
缺料衝擊威剛第三季 EPS 僅 0.14 元，前三季 EPS 9.03 元無供過於求 |
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作者
Atkinson|發布日期
2021 年 11 月 09 日 16:40 |
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記憶體模組廠威剛科技今日通過 2021 年前三季合併財務報表，稅前淨利新台幣 29.66 億元及稅後淨利 22.57 億元超越歷年年度獲利，以加權平均股數 2.43 億股計算，每股稅後淨利 9.03 元。不過 2021 年第三季部分，零組件缺貨與全球能源問題干擾下，稅後純益僅 3,514 萬元，較第二季大幅減少 97.6%，較 2020 年同期也減少 88.3%，每股 EPS 僅 0.14 元。預期 DRAM 短期修正後，2022 年第二季後沒有供過於求問題。
全世界極少數成功，國研院團隊研發新型態 MRAM 記憶體 |
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作者
Emma stein|發布日期
2021 年 11 月 09 日 15:19 |
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隨著現代生活應用到晶片的地方越來越多，目前全世界半導體晶片都嚴重供不應求，體積更小、容量更大且效能更高的新型記憶體亟待問世。由國研院半導體中心主導的研究團隊，現在成功開發出全世界極少研究的垂直磁異向性「自旋軌道力矩式磁性記憶體」，靠著全新設計結構、平坦化製程等優勢登上舞台。 繼續閱讀..
