Category Archives: 記憶體

10 年深耕 NAND flash 控制晶片市場,點序科技憑藉技術與速度領先市場

作者 |發布日期 2018 年 05 月 31 日 11:22 | 分類 儲存設備 , 記憶體 , 零組件

在大數據、人工智慧興起的世代,「資料為王」的數據經濟時代即將來臨,資料儲存將成為兵家必爭之地。成立 10 年、深耕 NAND flash 控制晶片領域的點序科技,不但已成為全球最大 SD 記憶卡控制晶片的供應商,還繼續朝向下一個里程碑邁進,打造兼具深度與廣度的產品線,陸續推出 USB、eMMC 與 SSD 控制晶片,以技術與速度滿足市場全方位需求。 繼續閱讀..

三星宣布量產 10 奈米製程 32GB DDR4 DRAM,搶攻電競市場

作者 |發布日期 2018 年 05 月 30 日 16:40 | 分類 Samsung , 會員專區 , 桌上型電腦

三星電子 30 日宣布,已開始正式量產全球首款 32GB 容量、適用於小型雙列直插式記憶體模組(SoDIMM)規格的電競筆電 DDR4 記憶體。而新的 SoDIMM 記憶體模組是以 10 奈米製程技術打造,可以用戶享受豐富的電競遊戲之外,並具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現。

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SSD 價跌帶動需求,今年 SSD 搭載率與 PCIe SSD 滲透率挑戰 50% 大關

作者 |發布日期 2018 年 05 月 30 日 14:50 | 分類 晶片 , 記憶體

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,NAND Flash 產業的供過於求狀態,Client SSD 價格隨之走跌,然而價格走跌反倒刺激需求成長,預期 NB 產品的 SSD 搭載率今年將正式突破 50%,其中,PCIe SSD 取代目前主流 SATA III SSD 腳步也將加速,PCIe SSD 滲透率也可望於今年挑戰 50% 大關。 繼續閱讀..

美光、英特爾在 NAND Flash 上分手主因,雙方技術發展態度不一致

作者 |發布日期 2018 年 05 月 28 日 17:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 記憶體

隨著近年來 NAND Flash 市場供不應求,價格不斷高漲的情況下,使得投資者的眼光眼開始關注到 NAND Flash 製造廠的身上。2018 年 1 月份,美系的 NAND Flash 廠商英特爾及美光兩家公司宣布,未來再開發出第 3 代 96 層堆疊的 3D NAMD Flash 後將和平分手。至於兩家公司的分手原因,過去一直沒有明確透露,現在才有消息指出,是因為雙方對未來 NAND Flash 的技術發展態度不相同所導致,美光要轉換到到 CTP 技術陣營,而英特爾則是將堅持 Floating Gate 技術陣營。

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受淡季價跌影響,第一季 NAND Flash 品牌商營收季減 3%

作者 |發布日期 2018 年 05 月 28 日 15:03 | 分類 晶片 , 記憶體 , 財經

全球市場研究機構 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,2018 年第一季隨著需求進入淡季循環,促使價格向下修正,第一季 NAND Flash 品牌廠營收季減 3%;第二季市場仍處於小幅供過於求的狀態,eMMC / UFS、SSD 等合約價持續下跌,但供應商希望透過更具吸引力的報價以刺激中高容量產品如 256GB SSD、128 / 256GB UFS 更高的位元需求成長,因此預計各供應商的營收表現仍可持穩。 繼續閱讀..

中國商務部約談美光,DRAM 價格漲勢恐將遭壓抑

作者 |發布日期 2018 年 05 月 25 日 15:40 | 分類 中國觀察 , 記憶體 , 零組件

全球記憶體市占率第三的美光半導體傳出在 5 月 24 日被中國商務部反壟斷局約談。據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,美光被約談主因為標準型記憶體已連續數季價格上揚,導致中國廠商不堪成本負荷日漸提高,加上限制設備商供貨給晉華集成儼然是妨礙公平競爭行為。2018 年第一季三星、SK 海力士與美光在 DRAM 產業囊括約 96% 的市占率,與其他終端產品所採用的半導體組件相比,似乎已明顯構成壟斷的條件,未來反壟斷調查的事件可能將持續發生,並且可能壓抑記憶體漲幅。 繼續閱讀..

東芝增產 3D NAND,7 月蓋新廠導入 AI 改善良率

作者 |發布日期 2018 年 05 月 23 日 8:45 | 分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 國際貿易

東芝(Toshiba)旗下半導體事業子公司「東芝記憶體」(TMC)22 日發新聞稿宣布,因 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)「BiCS FLASH」中長期需求料將呈現擴大,因此為了擴增 3D NAND Flash 產能,決定將在 2018 年 7 月於岩手縣北上市著手興建新工廠,該座北上新廠廠房預計將在 2019 年完工。 繼續閱讀..

5G、大數據帶動,哪幾類記憶體需求大增溫?

作者 |發布日期 2018 年 05 月 22 日 14:50 | 分類 物聯網 , 網路 , 網通設備

在萬物即將相連的時代,大量資料的產生帶動資料中心的蓬勃建置。放眼未來 5~10 年,資料量將繼續呈倍數成長,重視高傳輸、低延遲與廣域連接的 5G,以及邊緣運算(edge computing)等運用將成關鍵性技術,並引領下一波智慧科技的發展。在此基礎架構下,TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,除了各式處理晶片與感測器的需求將呈現爆發性成長外,扮演運算處理(DRAM)與資訊儲存(NAND)功能的記憶體需求也將持續增溫。 繼續閱讀..

美光第 2 季營收史上新高,獲利年成長達 270%

作者 |發布日期 2018 年 05 月 22 日 12:45 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

這兩年 NAND Flash 快閃記憶體及 DRAM 價格居高不下,帶動上游廠商營收大幅提升。不光韓系三星營收、獲利創新紀錄,連美光(Micron)22 日公布的 2018 年第 2 季財報也交出史上最好成績。根據財報,2018 年第 2 季營收達 73.5 億美元,比 2017 年同期增加 58%。歸屬於母公司的獲利達 33.1 億美元,是 2017 年同期 8.94 億美元的 3.7 多倍,足足增加了 270%。

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中國半導體正迎接先進光刻時代到來,中芯、長江存儲、華虹先後引進

作者 |發布日期 2018 年 05 月 22 日 9:15 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

近期,中國半導體廠開始積極迎接先進的光刻機時代到來。就在日前,中國最大晶圓代工廠中芯國際斥資 1.2 億美元,自荷商艾司摩爾(ASML)買來中國首台極紫外線光刻機的消息曝光之後,以生產 NAND Flash 為主的長江存儲,也在日前傳出,同樣向艾司摩爾採購價值 7,200 萬美元的 193 奈米沉浸式光刻機,用於 20~14 奈米的 3D NAND Flash 生產,也同樣運抵武漢。最新的是,華虹集團旗下的上海華力集成電路,也迎接了他們的首台 193 奈米雙沉浸式的光刻機,以用於先進製程的晶圓製造生產。

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美光宣布 100 億美元股票回購授權、升財測

作者 |發布日期 2018 年 05 月 22 日 9:05 | 分類 記憶體 , 財經

美光科技(Micron Technology Inc.)21 日舉辦法說會並宣布調高 2018 會計年度第 3 季(截至 2018 年 5 月 31 日)財測:非一般公認會計原則(Non-GAAP)營收預估區間自 72.0 億至 76.0 億美元(中間值為 74.0 億美元)調高至 77.0 億至 78.0 億美元(中間值為 77.5 億美元)、Non-GAAP 每股稀釋盈餘預估區間自 2.76 至 2.90 美元(中間值為 2.83 美元)上修至 3.12 至 3.16 美元(中間值為 3.14 美元)。 繼續閱讀..