Category Archives: 記憶體

SK 海力士 M16 工廠發生化學品外洩,3 名工人送醫但不影響生產

作者 |發布日期 2021 年 04 月 07 日 13:00 | 分類 公司治理 , 國際貿易 , 晶圓

根據南韓媒體 《Ddaily》 的報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK-Hynix) 旗下位在京畿道利川市的 M16 晶圓廠發生在 6 日了化學品外洩事件,過程中導致 3 名工人受傷。不過,3 名受傷工人在送醫後並無大礙,而且晶圓廠產線的生產也沒有受到影響。

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市場需求帶動 DRAM 漲價持續,外資給與南亞科每股 122 元目標價

作者 |發布日期 2021 年 04 月 01 日 16:10 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 證券

美系外資在最新研究報告指出,過去一週當中,DDR3 的現貨報價較弱,原因在於目前代工廠正受到包括基板、封裝、VGA 卡缺貨的衝擊,正等待這些零組件供貨,而導致對 DRAM 需求暫時減緩,此現象僅短期,加上代工廠對 DRAM 需求龐大的情況下,無須擔心現貨價短期的波動,在整體需求健康的情況下,預期現貨與合約價之間約 71% 的落差將會在第 2 季縮小,因此持續看好南亞科未來的發展,除給予 「加碼」 的投資評等之外,也給予每股新台幣 122 元的目標價。

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傳美光與威騰電子正各自評估併鎧俠,計畫若成將威脅三星龍頭地位

作者 |發布日期 2021 年 04 月 01 日 10:50 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

NAND Flash 快閃記憶體市場可能再出現重大的併購計畫!根據 《華爾街日報》 的報導,根據知情人士的消息,目前 NAND Flash 大廠美光 (Micron) 及威騰電子 (Western Digital) 兩家公司都在各自評估併購同業鎧俠 (Kioxia) 的計劃。若併購案成真,將改變整個NAND Flash的市場生態。

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美光財報財測讚,筆電需求夯、DRAM 嚴重供不應求

作者 |發布日期 2021 年 04 月 01 日 9:10 | 分類 記憶體 , 財報 , 財經

美國記憶體晶片大廠美光科技(Micron Technology Inc.)於美國股市 3 月 31 日盤後公布 2021 會計年度第 2 季(截至 2021 年 3 月 4 日)財報:營收年增 30%(季增 8%)至 62.36 億美元;非一般公認會計原則(Non-GAAP)每股稀釋盈餘年增 118%(季增 25.6%)至 0.98 美元。

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SK 海力士預測儲存未來:3D NAND 600 層以上,DRAM 10 奈米以下

作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 | 分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會,SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為,層數增加到 600 層以上,可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外(EUV)光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下,以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備,以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

拓墣觀點》AMD 發表 EPYC「Milan」處理器,用性價比挑戰英特爾伺服器市場

作者 |發布日期 2021 年 03 月 26 日 7:15 | 分類 會員專區 , 處理器 , 記憶體

AMD 於 2021 年第一季正式發表第三代 AMD EPCY 伺服器處理器(代號「Milan」),採用台積電 7 奈米製程、Zen 3 微架構,相比第二代 AMD EPYC,第三代每時脈週期(IPC)效能提升 19%,可協助高效能運算(HPC)、雲端及企業端客戶完成更多的工作負載。

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三星新款 DDR5 記憶體亮相,採 HKMG 製程效能是 DDR4 兩倍

作者 |發布日期 2021 年 03 月 25 日 17:00 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 會員專區

三星(Samsung)今日宣布,推出業界首個基於 High-K Metal Gate(HKMG)製程的 512GB DDR5 模組,以擴展 DDR5 DRAM 產品組合。據悉,基於 HKMG 製程的 DDR5,其性能是 DDR4 兩倍以上,且速度高達 7,200 Mbps,得以滿足超級運算、人工智慧、機器學習等龐大運算需求。

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黃崇仁:台灣半導體有競爭優勢,不看好英特爾重返晶圓代工市場

作者 |發布日期 2021 年 03 月 25 日 16:20 | 分類 IC 設計 , 手機 , 晶圓

針對處理器龍頭英特爾宣布將斥資 200 億美元在美國亞利桑那州興建兩座新的晶圓廠,並進一步髂族晶圓代工市場,欲與晶圓代工龍頭台積電打對頭一事,力積電董事長黃崇仁強調,半導體產業離不開台灣,而且台灣半導體產業具有競爭優勢的情況下,對英特爾的計畫並不看好。

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