隨著記憶體價格持續飆升,市場預期將帶動 AI 伺服器記憶體產能大幅擴張,晶片製造設備大廠東京威力科創(TEL)可望受惠於創紀錄的資本支出與研發投資浪潮。 繼續閱讀..
AI 伺服器需求爆發!TEL 看好 HBM 蝕刻設備迎超級週期 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 01 月 09 日 19:40 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 記憶體 |
拿記憶體換買高階顯卡,或先付款廠商後簽長約,記憶體大漲下亂象延燒 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2026 年 01 月 09 日 14:50 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 | edit |
自 2025 年下半年來的一波記憶體大漲潮,造成的原因在於全球三大記憶體原廠 (三星、SK 海力士、美光) 將大多數的產能提供給 AI 市場需求孔急,而且利潤較高的高頻寬記憶體 (HBM) 的生產,使得原本標準型 DDR4 / DDR5 的供給減少。在此情況下,包括通路商與 OEM 廠商在市場上的瘋狂掃貨,讓市場形成供不應求的情況,相關產品的價格快速飆升。有部分消費者指出,標準型記憶體產品在市場上價格部分已經飆漲 10 倍以上,令消費者大感吃不消。
印度開發「鉑金屬分子裝置」動態切換記憶與運算,可望開創 AI 硬體新架構 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2026 年 01 月 08 日 7:20 | 分類 半導體 , 材料、設備 , 記憶體 | edit |
在一項突破性的研究中,印度科學理工學院(IISc)科學家開發出一種以鉑金屬為基礎的分子裝置,能夠在記憶體、邏輯閘、類比訊號處理等多項功能間動態切換,展現出可能重塑未來人工智慧硬體架構的潛力。這項研究由助理教授 Sreetosh Goswami 領導,結合化學、物理與電氣工程領域的專業成果,凸顯分子電子學的強大應用前景。
