Category Archives: 記憶體

金士頓警告 NAND Flash 漲聲不止,SSD / HDD 未來 30 天迎接全面漲價

作者 |發布日期 2025 年 12 月 17 日 13:00 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

近期,全球儲存裝置市場正面臨前所未有的嚴峻挑戰,從固態硬碟(SSD)核心元件 NAND Flash,到傳統硬碟(HDD)等所有可用儲存裝置均受人工智慧(AI)熱潮衝擊。特別是 NAND Flash,價格今年漲幅驚人,且業界預估短缺現象一個月內恐更惡化。

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三星突破 10 奈米瓶頸,新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局

作者 |發布日期 2025 年 12 月 17 日 10:10 | 分類 Samsung , 記憶體

三星電子 16 日宣布,該公司及其三星先進技術研究所(SAIT)成功開發出一種新型電晶體,能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM,這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程,這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙,因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。 繼續閱讀..

標準型 DRAM 獲利率更佳,三星與 SK 海力士投資策略恐影響市場趨勢

作者 |發布日期 2025 年 12 月 16 日 9:30 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報

韓國媒體報導,在這波記憶體市場的景氣榮景中,三星電子與SK海力士在投資策略上出現了顯著差異。其中,SK海力士以HBM為中心的戰略,但在當前標準型DRAM獲利能力更佳的情況下,是否能在中長期獲利能力方面取得最佳成果,正受到市場的考驗。

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ASML 緊張了!日本 DNP 成功開發 10 奈米等級奈米壓印

作者 |發布日期 2025 年 12 月 15 日 17:00 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

大日本印刷株式會社 (DNP) 近日宣佈,成功開發出電路線寬為 10 奈米的 NIL 奈米壓印技術,可用於相當於 1.4 奈米等級的邏輯半導體電路圖形化。公司表示,該產品針對智慧型手機、資料中心、NAND Flash 等應用場景中先進邏輯晶片的微型化需求,目前已啟動客戶評估工作,計畫於 2027 年開始量產。DNP 同時提出,力爭在 2030 財年將奈米壓印相關業務的營收提升 40 億日元。

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