Category Archives: 記憶體

DDR5 高獲利放大產能排擠效應，2026 年 HBM3e 定價動能同步轉強

作者 TechNews|發布日期 2025 年 12 月 18 日 14:50 |

分類半導體 , 記憶體

根據 TrendForce 最新調查，近期因記憶體市況呈現供不應求，帶動一般型 DRAM（conventional DRAM）價格急速攀升，儘管 HBM3e 受惠於 GPU、ASIC 訂單同步上修，價格也隨之走揚，預期未來一年 HBM3e 和 DDR5 的平均銷售價格（ASP）差距仍將明顯收斂。繼續閱讀..

KB 證券看好三星 2026 年營業利潤挑戰 100 兆韓元

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 12 月 18 日 13:40 |

分類 Samsung , 半導體 , 晶片

韓國投資銀行 KB 證券（KB Securities）18 日發布最新報告指出，受惠於記憶體報價走揚，三星電子（Samsung Electronics）明年營業利潤有望挑戰 100 兆韓圜（約 676.5 億美元），並重申「買進」投資評等、目標價維持 16 萬韓圜。繼續閱讀..

盧超群：記憶體漲價展現價值，供不應求直到 2027 上半年

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 12 月 18 日 13:20 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

鈺創科技董事長盧超群強調，儘管業界對摩爾定律是否終結存有疑慮，但技術創新已確保摩爾定律持續發威，且半導體產業正處於「如日中天」的黃金時期。然而，這股由 AI 應用從底端推動的爆炸性成長，正與 DRAM 產能的嚴重不足形成強烈對比。盧超群預警，全球 DRAM 市場供不應求的局面預計將持續到 2027 年上半年。

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市場需求帶動美光財報與財測超越市場預期，盤後股價大漲近 8%

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 12 月 18 日 7:00 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

記憶體製造商美光（Micron Technology）公布了其會計年度第一季的營運成果，報告顯示其營收和每股收益均超出市場的預期。而受惠於人工智慧（AI）基礎設施對高容量記憶體的強勁需求，美光不僅交出亮眼成績單，同時對當前一季（第二季）提供了遠超市場預期的強勁展望。在財報發布後，美光股價在盤後交易中大漲了近 8%。

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SK 海力士 M15X 第二座無塵室啟動設計，月產能有望上看 6 萬片

作者林妤柔|發布日期 2025 年 12 月 17 日 17:15 |

分類半導體 , 晶片 , 記憶體

SK 海力士已開始為清州 M15X 廠的第二座無塵室進行連接（Hook-up）設計。韓媒 The Elec 指出，Hook-up 設計決定各種公用設施（如氣體、化學品與水）管線，以及主要生產設備的配置位置與方式的流程，目的是達到最高效率。繼續閱讀..

金士頓警告 NAND Flash 漲聲不止，SSD / HDD 未來 30 天迎接全面漲價

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 12 月 17 日 13:00 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

近期，全球儲存裝置市場正面臨前所未有的嚴峻挑戰，從固態硬碟（SSD）核心元件 NAND Flash，到傳統硬碟（HDD）等所有可用儲存裝置均受人工智慧（AI）熱潮衝擊。特別是 NAND Flash，價格今年漲幅驚人，且業界預估短缺現象一個月內恐更惡化。

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SK 海力士強攻 AI 儲存版圖，與 Nvidia 合作推 10 倍性能 SSD

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 12 月 17 日 10:50 |

分類儲存設備 , 記憶體 , 零組件

Nvidia 與 SK 海力士（SK hynix）16 日宣布合作開發一款專為人工智慧（AI）工作負載設計的下一代固態硬碟（SSD），該產品分別命名為 Nvidia 的「Storage Next」和 SK hynix 的「AI-N P」（AI NAND Performance）。

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美光財報在即外資：報價將漲數季資本支出上修

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 12 月 17 日 10:20 |

分類半導體 , 記憶體 , 財經

即將於週三（17日）美股盤後公布第一季（9-11 月）財報的美國記憶體大廠美光（Micron Technology, Inc.），雖獲得華爾街分析師上修目標價，股價卻不漲反跌。繼續閱讀..

三星突破 10 奈米瓶頸，新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局

作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 12 月 17 日 10:10 |

分類 Samsung , 記憶體

三星電子 16 日宣布，該公司及其三星先進技術研究所（SAIT）成功開發出一種新型電晶體，能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM，這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程，這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙，因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。繼續閱讀..