根據韓國媒體 ZDNET Korea 的報導表示,韓國三星內部已於第三季決定調整平澤園區 P4 產線第一期(Phase 1)的產能分配,就是要從純 NAND Flash 快閃記憶體的生產,調整為 NAND Flash+ DRAM 的生產,以因應市場需求變化。
因應市場變化,三星平澤 P4 一期調整為 DRAM+NAND Flash 混合生產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 11 日 15:15 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |



