隨著高頻寬記憶體(HBM)邁向 HBM4E 與 HBM5 的高堆疊時代,韓國三星電子近日確認已申請一項全新的 HBM 封裝專利。該專利聚焦於重塑用來保護記憶體裸晶的「虛擬裸晶」結構,目的在解決晶片剝離、裂紋及翹曲等問題,進一步追求高堆疊 HBM 的結構與良率穩定性。
三星曝光高堆疊 HBM 結構創新專利,目標協助 HBM5 良率大幅提升 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2026 年 06 月 30 日 10:30 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 |



