三星電子 16 日宣布,該公司及其三星先進技術研究所(SAIT)成功開發出一種新型電晶體,能夠在 10 奈米以下的製程節點上生產 DRAM,這個突破將解決行動 RAM 擴展中的關鍵挑戰。這項技術的重點在於實現小於 10 奈米的 DRAM 製程,這對於行動 RAM 來說是一個重要的障礙,因為傳統的擴展方法已經達到物理極限。 繼續閱讀..
三星突破 10 奈米瓶頸,新電晶體有望重塑 DRAM 市場格局 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 12 月 17 日 10:10 | 分類 Samsung , 記憶體 |



