Category Archives: 半導體

TurboQuant 衝擊 DDR5 市場價格修正，台股模組廠股價也受打擊
作者 |發布日期 2026 年 03 月 31 日 8:50 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 晶片

近期記憶體產業有劇烈波動，在 Google 發表 TurboQuant 壓縮演算法，市場預計將大幅縮減 AI 應用的記憶體使用量後，造成了美國多家零售商的 DDR5 記憶體價格大幅下降，也進一步牽動了國內模組廠包括威剛、創見、宇瞻、十銓等廠商的未來營運情況。因此，對於一週前市價還在高檔區間的記憶體，市場關注會不會因此改變記憶體超級循環週期，進而動搖整個產業的價格。

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美銀：台積電護城河太深廣，馬斯克 Terafab 難以撼動
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 20:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 公司治理 , 半導體

面對全球對高階晶片需求持續白熱化，科技大廠正積極尋求對供應鏈的絕對掌控權。根據最新消息指出，特斯拉執行長 Elon Musk 近期提出了一項名為「Terafab」的半導體設施計畫，意圖打造一個高度垂直整合的晶片製造帝國。然而，針對這項野心勃勃的計畫，被外資美銀的最新分析報告表示，由於該計畫面臨極高的執行風險、驚人的建廠成本以及漫長的開發時程，預期將不會對全球晶圓代工龍頭台積電產生重大的競爭衝擊。

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需求轉弱、供給壓力加劇，下修 2026 年全球筆電出貨至年減 14.8%
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 17:25 |
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分類 筆記型電腦 , 處理器 , 電腦

根據 TrendForce 最新筆電產業調查，近期全球筆電出貨量進一步明顯轉弱的跡象浮現，TrendForce 在預期終端消費動能惡化、供應鏈成本持續墊高的雙重影響下，正式更新 2026 全年筆電出貨預測，從年減 9.2% 下修至年減 14.8%，以反映產業進入更深層的調整階段。

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美國科技股漲勢來自 30% 個股！元大納斯達克精選 ETF 自 4/8 開募
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 17:08 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際金融

美股過去兩年牛市，那斯達克指數（Nasdaq）漲逾 50%，但並非每一檔都漲，實際只有 30% 個股貢獻漲幅，為鎖定引領股市成長的科技類股，元大投信與那斯達克指數公司合作，共同推出「元大納斯達克精選」（009820），預定 4 月 8 日展開募集。

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瞄準 AI 伺服器需求，牧德四線電測機量產，今年新產品陸續推出
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 16:37 |
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分類 半導體 , 封裝測試

牧德董事長汪光夏表示，公司 2026 年將進入新產品密集推出期，其中歷時長時間開發的四線電測機已正式推出，並鎖定 AI 伺服器與高階 PCB 應用市場；同時，半導體檢測設備也陸續進入出貨與驗證階段，整體產品線正由研發轉向放量成長。 繼續閱讀..

全球先進記憶體廠樂了！JEDEC 這項決定將影響 AI 記憶體布局
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 16:30 |
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分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

隨著人工智慧（AI）技術的快速發展，對高效能記憶體的需求日益攀升。全球固態技術協會（JEDEC）近期已正式展開討論，計畫放寬全球 HBM 的高度標準限制。這項重大決議預計將 HBM4 的堆疊高度上限放寬至 900 微米（0.09公分），藉此支援針對現代 AI 功能關鍵的 16 層及 20 層 DRAM 堆疊技術發展。此舉不僅將解決現有製程的物理瓶頸，更將深刻影響全球半導體封裝設備商的競爭態勢與記憶體大廠的策略佈局。

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AI 人才結構大升級！PCB 職缺數年增 26%、投遞熱度緊追半導體
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 15:32 |
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分類 AI 人工智慧 , PCB , 人力資源

受惠 AI 應用與高階運算需求帶動，PCB（印刷電路板）族群表現強勢，市場資金持續湧入，相關個股頻創波段新高，帶動 PCB 產業與相關零組件廠訂單能見度提升，而 PCB 職缺數年增 26.05%，僅次於 IC 設計產業的 37.2%，其中主動投遞履歷數年增 31.09%，緊追半導體產業的 40.18%。

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又要彎道超車台積電！三星預定 2028 年量產矽光子元件
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 11:45 |
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分類 AI 人工智慧 , Samsung , 光電科技

為了在競爭激烈的全球晶圓代工市場中重奪主導權，韓國三星日前於洛杉磯舉辦的 2026 年光纖通訊展覽會（OFC 2026）上拋出震撼彈，正式宣布將於 2028 年展開矽光子技術的量產計畫。此舉不僅直指當前市場龍頭台積電，更展現了三星期望透過光傳輸系統，一舉解決人工智慧半導體效能瓶頸的強烈企圖心。

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三星中國西安廠 NAND 升級 236 層量產，286 層製程今年導入
作者 |發布日期 2026 年 03 月 30 日 11:00 |
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分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

根據韓媒《Etnews》報導，三星電子正加快 NAND Flash 先進製程布局，已完成中國西安工廠第一階段製程轉換，將原有 128 層產品全面升級為 236 層第 8 代 NAND（V8），並正式進入量產。同時，公司亦規劃於今年內導入 286 層第 9 代 NAND（V9），持續強化競爭力。 繼續閱讀..