Tag Archives: 半導體

三星手機銷量不如預期,恐將拖累 6 日公布第 2 季財報成績

作者 |發布日期 2018 年 07 月 05 日 9:45 | 分類 Android 手機 , Apple , iPhone

根據《路透社》的報導,由於消費者紛紛轉向購買小米等中國廠商的手機情況下,使得最新 Galaxy 高階智慧手機銷售低迷,分析師預計三星的智慧手機銷量將在第 2 季繼續下滑,因此上一季下滑超過 2% 後,三星電子第 2 季的獲利成長恐創下一年多來的新低。

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TechNews 科技早報 – 20180705

作者 |發布日期 2018 年 07 月 05 日 9:17 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

聯電在中國提告美光勝訴,恐將引發全球銷售版圖重新洗牌
今年 1 月聯電在中國福州中級人民法院提告美光產品有侵權疑慮,除要求賠償人民幣 2.7 億元(台幣逾 12 億元),並禁止美光產品在中國製造、加工、進口與銷售,一審判決結果出爐,由聯電取得… 繼續閱讀..

專利權官司敗訴被中國禁售,外資稱對美光影響有限

作者 |發布日期 2018 年 07 月 04 日 18:00 | 分類 伺服器 , 晶片 , 會員專區

就在與聯電的專利訴訟中敗訴,被中國福州法院要求禁售的美商記憶體大廠美光(Micron),雖然其判決結果勢必衝擊在中國生產、銷售 SSD 硬碟、記憶體模組及記憶體晶片等產品。不過,長期來看,這次禁令並不會對美光產生多大的影響。因為,美光記憶體一旦真的被中國禁售的話, 則 DRAM、NAND Flash 的漲價勢必更兇,對 PC、智慧型手機、伺服器廠商也會造成影響。

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中國四川水災沖毀多處比特幣礦場,供應鏈將喜迎新一波急單效應

作者 |發布日期 2018 年 07 月 04 日 16:20 | 分類 GPU , 數位貨幣 , 晶片

因為中國四川連日豪雨造成水患,導致多處比特幣礦場被大水沖毀,日前傳出許多礦場主人當街整理挖礦設備的消息。這使全網算力隨之大幅下降,有市場人士傳出,為填補這些損失的挖礦算力,開始有顯卡及挖礦機的需求急單出現,造成顯示卡廠商與中國三大挖礦機公司急於出貨,上游晶片製造商台積電及繪圖晶片廠商 NVIDIA 與 AMD 等公司喜迎「天上掉下來的禮物」。

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TechNews 科技早報 – 20180704

作者 |發布日期 2018 年 07 月 04 日 9:49 | 分類 手機 , 會員專區 , 財經

聯電提告美光在中國勝訴,全球銷售版圖重新洗牌可能性高
根據全球市場研究機構集邦科技(TrendForce)旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查,今年一月聯電在中國福州中級人民法院提告美光產品有侵權疑慮,除要求賠償人民幣 2.7 億元(台幣逾 12 億元),並禁止美光產品在中國製造、加工、進口與銷售;目前一審判決出爐,由聯電取得勝訴。 繼續閱讀..

【最新】聯電控告美光侵權官司勝訴,美光中國市場恐面臨嚴重衝擊

作者 |發布日期 2018 年 07 月 03 日 22:53 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

針對 2018 年 1 月,晶圓代工大廠聯電分別向中國福州市中級人民法院遞狀,對美光半導體(西安)、美光半導體銷售(上海)、廈門市思明區信通源電腦經營部、廈門安泰勝電子科技等公司提起 3 起訴訟,請求賠償金額總計人民幣 2.7 億元,並請求法院判令相關被告停止製造、加工、進口、銷售、准許銷售被訴侵權產品之行為,且並銷毀全部庫存及相關模具與工具一事,3 日下午判決結果出爐,福州市中級人民法院判決聯電獲得勝訴。

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南亞科 6 月營收年成長翻倍,連 3 月創下單月營收新紀錄

作者 |發布日期 2018 年 07 月 03 日 16:00 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

記憶體大廠南亞科 3 日公布 6 月財報,營收為新台幣 85.86 億元,較 5 月增加 3.12%,較 2017 年同期倍增達 104.74%,為連續 3 個月創下歷史單月歷史新高紀錄,也拉抬南亞科股價走強。3 日南亞科股價不畏大盤走弱,一度來到最高每股 83.2 元價位。收盤則是來到每股 81.8 元,上漲 0.8 元,漲幅為 0.99%。

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金屬材料變革將影響中國半導體設備的研發方向

作者 |發布日期 2018 年 07 月 02 日 15:30 | 分類 晶片 , 會員專區 , 材料

全球最大半導體設備商應用材料(Applied Materials)於 6 月 6 日宣布,材料工程獲得技術突破,能在大數據與人工智慧(AI)時代加速晶片效能。應材表示,20 年來首樁電晶體接點與導線的重大金屬材料變革,能解除 7 奈米及以下晶圓製程主要的效能瓶頸,由於鎢(W)在電晶體接點的電性表現與銅(Cu)的局部終端金屬導線製程都已逼近物理極限,成為 FinFET 無法完全發揮效能的瓶頸,因此晶片設計者在 7 奈米以下能以鈷(Co)金屬取代鎢與銅,藉以增進 15% 晶片效能。 繼續閱讀..