Tag Archives: 趙偉國

紫光否認將購併全球第 4 大矽晶圓廠 Siltronic AG

作者 |發布日期 2018 年 08 月 06 日 15:25 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

根據平面媒體的報導,傳中國紫光集團已決定花費鉅資收購德國矽晶圓廠 Siltronic AG;而且由於 Siltronic AG 是全球第 4 大半導體矽晶圓廠,使得原本可能入股台灣矽晶圓大廠環球晶的想像空間破滅,連帶恐衝擊環球晶市場地位一事,中國紫光集團隨即發出聲明否認項報導,並指該報導沒有事實根據。

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購併再起 ! 中國清華紫光集團斥資 800 億元購併法商 Linxens

作者 |發布日期 2018 年 07 月 25 日 18:10 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 會員專區

沉寂一段時間的中國半導體大廠紫光集團,近期又有重新再發動購併的跡象!根據《彭博社》的引用知情人士的消息報導,中國清華紫光集團已經與法國智慧型晶片元件製造商 Linxens 簽署購併協議,以總價約 22 億歐元(約新台幣 800 億元)來購併 Linxens。而這項協議是在一個月前完成簽署,直到近期才有消息透露。

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趙偉國:記憶體兵家必爭,未來 10 年將募集千億美元持續投資

作者 |發布日期 2018 年 04 月 13 日 16:00 | 分類 晶片 , 會員專區 , 處理器

日前才請辭紫光控控股、紫光國芯兩家子公司董事長職務的中國清華紫光集團董事長趙偉國表示,紫光集團之所以選擇 3D Nand Flash 快閃記憶體為發展產業,主要是市場大、技術新、資本密集,適合紫光投資。未來 10 年還將募資 1,000 億美元在這產業繼續投資。

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趙偉國:將投資人民幣千億元,複製 2 個武漢新芯

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 18:00 | 分類 中國觀察 , 手機 , 晶片

甫傳出請辭中國清華紫光集團旗下紫光控股與紫光國芯兩家子公司董事長及董事職務的趙偉國,9 日出席於中國深圳召開的第 6 屆中國電子資訊博覽會中表示,未來將整合中國國內的資源,在武漢、南京、成都合計投資人民幣 1,800 億元,進行記憶體基地的研發與建置。也就是未來將要藉由大規模的投資,在南京及成都兩地成功複製兩個武漢新芯。

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趙偉國連辭兩家子公司董座,象徵購併為主的「紫光模式」走向盡頭

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 10:40 | 分類 中國觀察 , 晶片 , 會員專區

中國清華紫光集團董事長趙偉國連辭集團旗下兩家公司紫光控股及紫光國芯兩家公司的董事長及董事職務,雖然趙偉國自己表示,是因為工作太忙,無法兼顧而請辭,但是根據的外界猜測,趙偉國請辭的原因,恐怕與近幾年所主導的海外購併案進展不順,與集團發展策略的改變有關。因此,趙偉國的請辭,似乎也象徵著中國半導體購併的策略已經逐步走到了盡頭。

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內部資源整合受挫?中國紫光集團旗下紫光國芯暫停整併長江存儲

作者 |發布日期 2017 年 07 月 17 日 10:00 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體

中國紫光集團旗下的記憶體廠商紫光國芯於 16 日晚間公告,由於計劃重大資產重組的標的「長江存儲」,在記憶體工廠的投資規模較大,而且目前尚處於建設初期,短期內無法產生銷售收入的情況下,紫光國芯認為收購長江存儲股權的條件尚不夠成熟,同意終止本次股權收購。此外,公司與擬新增資產交易的標的談判,在目前仍沒有達成最終意向,且預期難以在較短時間內形成確實可行的方案。因此,公司也決定同時終止籌畫本次重大資產重組事項。

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中國提出再融資新規定,紫光國芯人民幣 800 億元增資計畫恐擱淺

作者 |發布日期 2017 年 02 月 22 日 15:20 | 分類 中國觀察 , 手機 , 晶片

之前,曾經對台灣政府施壓,表示中國官方應該對台灣施壓開放產業,否則應禁止既有台灣品牌或台灣製造的晶片在中國銷售。也曾經在 2015 年底計劃一舉入股台灣力成、南茂和矽品 3 家半導體封測公司,被稱為 「中國餓狼」 的中國紫光董事長趙偉國,如今自己所領導的紫光集團也將要面臨困難。根據中國《證券時報》的報導,紫光系當中的紫光國芯在 2015 年所提出的人民幣 800 億元再融資,將會在中國政府新提出的在融資規範下,造成計畫擱淺的局面。

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紫光續擴張!趙偉國喊今年再砸 460 億美元,成都、南京建晶圓廠

作者 |發布日期 2017 年 01 月 11 日 11:56 | 分類 晶片 , 會員專區

中國紫光集團近年來擴張頻頻,談併購、挖人才、建廠擴產能沒在手軟,紫光偕旗下長江存儲興建的國家記憶體基地 240 億美元投資案才在日前動工,現在紫光董事長趙偉國又宣布,未來一年將再砸 460 億在中國成都、南京各建一座晶圓廠。 繼續閱讀..

中國國家記憶體基地武漢動土,要建 3 座全球最大 3D NAND 廠

作者 |發布日期 2016 年 12 月 30 日 14:07 | 分類 手機 , 會員專區

傾國家之力的中國長江存儲記憶體基地正式於今 30 日開工,而此項目前身為武漢新芯記憶體基地,在今年 3 月底舉行動土典禮,卻在歷經中國紫光與武漢新芯合體後,重新找地建新廠,強調要打造全球單座潔淨室面積最大的 3D NAND Flash 新廠! 繼續閱讀..