受晶片業傳出整併及漲價消息、公債殖利率跳高激勵金融股、重啟概念股走強帶動,那斯達克指數、標準普爾 500 指數雙雙再創歷史收盤新高,惟傑克森洞(Jackson Hole)央行年會在即,指數漲幅受限。
晶片業傳整併漲價利多,標普今年第 51 度歷史高 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2021 年 08 月 26 日 8:45 | 分類 證券 , 財經 |
筆電與智慧型手機需求優於預期,2021 年第一季 NAND Flash 總營收季增 5.1% |
| 作者 TechNews|發布日期 2021 年 05 月 26 日 14:40 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 | edit |
根據 TrendForce 表示,2021 年第一季 NAND Flash 產業總營收達 148.2 億美元,季增 5.1%,其中位元出貨量成長 11%,大致抵消平均銷售單價下跌 5% 帶來的影響。議價時需求端雖受惠於筆電、智慧型手機需求強勁,但資料中心市場需求仍屬疲弱,市場尚未脫離供過於求,各類產品合約價仍呈現明顯下跌。然而 OEM / ODM 採購開始留意 NAND Flash 控制器缺貨衝擊中低容量產品供給,自 1 月下旬便開始增加訂單,一方面避免陷入缺貨風險,也希望在料況無虞的情況下,策略性擴大市占,使得第一季 NAND Flash 市場需求超乎預期。 繼續閱讀..
2021 年記憶體市況兩樣情,DRAM 需求增而 NAND Flash 仍供過於求 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2021 年 01 月 05 日 13:20 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
針對近期各家外資紛紛看好記憶體的前景,瑞銀也來補上一腳,指出記憶體將自 2021 年首季開始迎接新的成長週期,而且時間將持續至 2022 年中。在這當中,看好 DRAM 供不應求的表現,而 NAND Flash 則仍存在有供應過剩的情況。因此,報告中調升了包括三星、SK海力士、以及美光等 DRAM 全球三大廠的投資評等達到「買進」,而針對威騰電子方面則重申「中立」的投資評等。
2021 年第一季 NAND Flash 仍供過於求,估季跌幅約 10%~15% |
| 作者 TechNews|發布日期 2020 年 12 月 14 日 14:40 | 分類 儲存設備 , 記憶體 , 財經 | edit |
據 TrendForce 旗下半導體研究處指出,2021 年 NAND Flash 各類產品總需求位元數包含 Client SSD(31%)、Enterprise SSD(20%)、UFS 與 eMMC(41%)與 NAND Wafer(8%),由於供應商數量遠高於 DRAM,加上供給位元成長的幅度居高不下,預計 2021 年價格仍將逐季下跌。展望明年第一季,在三星、 長江存儲(YMTC)、SK 海力士與英特爾(Intel)對位元產出皆較為積極的情況下,NAND Flash 供過於求態勢將更加明顯,位元產出的季增幅達 6%,預估價格將季跌約 10%~15%。 繼續閱讀..
疫情推升雲端及遠距需求,2020 年第二季 NAND Flash 營收季增 6.5% |
| 作者 TechNews|發布日期 2020 年 08 月 27 日 14:23 | 分類 儲存設備 , 晶圓 , 記憶體 | edit |
根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示,第二季 NAND Flash 產業營收受惠於遠距服務與雲端需求驟增,帶動 PC、Server 的出貨表現,持續推升 SSD 需求量;然而智慧型手機與消費性電子市場尚未自疫情衝擊後恢復,需求仍較前季下跌。第二季位元出貨量及平均銷售單價均較上季微幅增加約 3%,帶動 NAND Flash 產業營收達 145 億美元,季增 6.5%。 繼續閱讀..
長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 04 月 13 日 11:40 | 分類 中國觀察 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
中國記憶體廠長江存儲於 13 日宣布,將推出兩款 128 層 3D NAND 產品,分別為容量為 1.33Tb 的 128 層 QLC 3D NAND Flash 快閃記憶體,以及容量為 512Gb 的 128 層 TLC 3D NAND Flash 快閃記憶體。其中,128 層 QLC 產品號稱為目前業界所發表的首款單顆 Die 容量達 1.33Tb 的 NAND Flash 快閃記憶體,其包括容量、性能都要優於主要競爭對手,並且兩款產品均已獲得主流控制器廠商驗證。
NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 01 月 17 日 15:45 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
日前,中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能 10 萬片的規模,並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今,長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標,就是將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作,不過,暫時沒有具體的目標時間表。
