格棋化合物半導體(GCCS)今(29 日)宣布與美國普渡大學(Purdue University)簽署合作備忘錄,共同推進下一代 SiC 材料與高功率應用布局。 繼續閱讀..
格棋、普渡大學簽署 SiC 技術合作協議,布局下一代材料與高功率應用 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 05 月 29 日 17:20 | 分類 材料 |
格棋、普渡大學簽署 SiC 技術合作協議,布局下一代材料與高功率應用 |
| 作者 林 妤柔|發布日期 2026 年 05 月 29 日 17:20 | 分類 材料 | edit |
格棋化合物半導體(GCCS)今(29 日)宣布與美國普渡大學(Purdue University)簽署合作備忘錄,共同推進下一代 SiC 材料與高功率應用布局。 繼續閱讀..
