西門子、任天堂雙題材助攻，旺宏第三季轉虧為盈有望？ |
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liu milo|發布日期
2016 年 07 月 28 日 18:40 |
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非揮發性記憶體廠旺宏連年虧損，在 2016 年第一季更因每股淨值低於 5 元，打入全額交割股，但在近日與西門子結盟、任天堂新機 NX 將棄光碟片採遊戲卡匣等題材下，股東也對旺宏的營運重啟信心，究竟何時旺宏才能終於轉虧為盈呢？ 繼續閱讀..
武漢新芯將併入紫光集團旗下，掌權之爭由趙偉國出線 |
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liu milo|發布日期
2016 年 07 月 27 日 14:29 |
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先前科技新報獨家揭露，統籌中國記憶體產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，並有望獲得美光在 NAND Flash 的協助，現在事情再有新進展，根據調研機構集邦科技旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 說法，紫光將於武漢成立新企業，未來武漢新芯將併入旗下，據科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業。 繼續閱讀..
英特爾 3D NAND Flash 產能再擴張！大連廠宣告投產 |
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liu milo|發布日期
2016 年 07 月 26 日 15:59 |
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SSD 等應用提升下，Nand Flash 需求正快速成長，各家記憶體廠無不積極擴產，以擴展自身在 NAND Flash 的市佔，半導體巨擘英特爾在 2015 年 10 月同樣看好 NAND Flash 發展，宣布與大連市政府合作，將原本生產處理器晶片的廠房轉型生產 3D-NAND Flash 晶片，而現在廠房改置完畢，在 25 日正式宣告投產。 繼續閱讀..
2016、2017 年全球新增 19 座晶圓廠，中國就佔了一半 |
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liu milo|發布日期
2016 年 06 月 23 日 19:40 |
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中國發展半導體，成了新建晶圓廠的大戶，近日國際半導體協會（SEMI）公布 2016、2017 年新建的晶圓廠至少就有 19 座，而其中有高達 10 座皆建於中國，與中國大舉進軍半導體產業的態勢相吻合。 繼續閱讀..
韓媒：三星西安部分停工影響 產能缺口有助快閃記憶體價格上揚 |
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Atkinson|發布日期
2016 年 06 月 21 日 9:48 |
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三星電子 19 日表示，由於 18 日凌晨中國西安變電廠爆炸所造成的供電閃斷，造成位於鄰近以生產 NAND 快閃記憶體為主的三星半導體廠生產中斷。不過，僅對不到 1 萬片晶圓生產造成影響，而該廠房將在幾天內全面恢復生產。南韓英文媒體 《The Korea Times》 對此報導指出，因為市場供應出現缺口的情況，有助於 NAND 快閃記憶體價格的上揚，反而有助於三星電子本身與對手 SK 海力士的營收。
西安變電站爆炸三星還未復工，低於萬片晶圓毀損 |
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TechNews|發布日期
2016 年 06 月 20 日 11:55 |
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18 日凌晨中國西安南郊一處變電站突爆炸起火，造成當地一度暫時供電，由於失火處鄰近三星、美光及力成等半導體廠房，這些半導體廠也受到牽連因而停電，據悉，三星西安廠更是生產 3D NAND Flash 的重地，蘋果將推出的 iPhone 7 256 GB 機型 NAND Flash 也是由此地生產，而三星、力成在事件發生後，也陸續做出了回應。 繼續閱讀..
三星 UFS2.0 打入蘋果記憶體供應鏈？可能是 iPhone 7 以後的事 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 04 月 20 日 16:33 |
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三星在 2016 年 2 月，針對高階行動裝置推出 256 GB(byte) UFS 2.0 NAND Flash 記憶體模組，容量、速度速度比美 PC，而蘋果 iPhone 7 先前外傳容量將達到 256GB，與最新 UFS2.0 晶片容量不謀而合，iPhone 7 將採用三星 UFS2.0 的傳聞不脛而走，然知名科技網站 BGR 近期揭露，三星是準備重回蘋果 NAND Flash 供應鏈，但恐怕是明年的事。 繼續閱讀..
3D NAND Flash 增速，產出比重上看 2 成 |
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中央社|發布日期
2016 年 03 月 26 日 22:37 |
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儲存型快閃記憶體（NAND Flash）供應商爭相加速 3D NAND Flash 發展，市調機構集邦科技預估，今年 3D NAND Flash 產出比重可望自去年的 6%，大幅攀高至 20% 水準。
3 月底武漢新芯新廠動土儀式，中國 NAND Flash 產業邁入新紀元 |
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作者
TechNews|發布日期
2016 年 03 月 21 日 19:00 |
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中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開
武漢新芯新廠動土邀請函曝光！240 億美元資金到位，中國記憶體發展正式啟動 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 03 月 21 日 11:07 |
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中國發展記憶體產業再有新進展！中國武漢新芯將建新記憶體廠，新廠動土儀式就落在本月 28 日，根據科技新報取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場謠傳的 DRAM 廠，據悉，國家集成電路產業發展基金（大基金）與湖北省政府已到位，武漢新芯已磨刀霍霍進軍 Flash 市場。
三星悄瘦身，今年連 DRAM、NAND Flash 投資恐都砍半！ |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 03 月 18 日 11:13 |
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全球景氣不甚明朗，據近來韓媒報導，韓國商業巨擘三星似乎開始調整腳步，先前才有韓媒指出，三星旗下事業正在加速大規模的重組，員工人數銳減、研發費用與研發中心投入的規模，也來到金融海嘯以來的低點。17 日韓國時報（The Korea Times）再引用外資報告指出，三星今年 DRAM、NAND Flash 投資金額都將對半砍，相較幾個 NAND Flash 廠商加大投資，產業是否出現消長同樣值得關注。 繼續閱讀..
