Tag Archives: dram

NAND Flash 低成本與能搶進 AI 市場利基,外資挺群聯目標價 500 元

作者 |發布日期 2023 年 09 月 08 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

美系外資指出,在具備 NAND Flash 較低成本優勢,加上近期 NAND Flash 價格反彈與 AI 伺服器市場需求的提升,另外設備商 ACMR 受惠於中國利基型 DRAM 需求持續到 2024 年,而且群聯有機會提供控制器等產品,還有機會供應 HBM 的情況下,給予群聯 「優於大盤」投資評等,目標價由每股新台幣 470 元,提升至 500 元。

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外資預期記憶體復甦態勢,看好群聯、華邦電,調升南亞科評等

作者 |發布日期 2023 年 09 月 08 日 9:30 | 分類 半導體 , 會員專區 , 記憶體

美系外資全球記憶體產業研究指出,雖然保守態度持續,但 NAND Flash 庫存與定價還在調整,顯示廠商巨大虧損收斂中。DRAM 部分,因 HBM 需求擴大,DRAM 與 HBM 分成兩個市場,台系記憶體供應商群聯、華邦電受惠,給予「優於大盤」評等,南亞科也提升至「中立」評等,力積電與旺宏維持「不如大盤」評等。

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歷經今年低基期,2024 年 DRAM、NAND Flash 需求位元年增 13% 及 16%

作者 |發布日期 2023 年 08 月 30 日 14:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 表示,2024 年記憶體原廠對 DRAM 與 NAND Flash 的減產策略延續,尤其以虧損嚴重的 NAND Flash 更明確。2024 上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗,加上通用型伺服器資本支出仍受 AI 伺服器排擠顯得相對需求疲弱,有鑑於 2023 年基期已低,加上部分記憶體產品價格到相對低點,DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長率分別為 13.0% 及 16.0%。儘管需求位元回升,明年若要有效去化庫存,並回到供需平衡狀態,重點還是仰賴供應商產能節制,若供應商產能控制得宜,記憶體均價有機會反彈。 繼續閱讀..

第二季 DRAM 產業營收止跌回升季增 20.4%,第三季營業利益率有望轉虧為盈

作者 |發布日期 2023 年 08 月 24 日 14:10 | 分類 國際貿易 , 記憶體

根據 TrendForce 研究顯示,受惠於 AI 伺服器需求攀升,帶動 HBM 出貨成長,加上客戶端 DDR5 的備貨潮,使得三大原廠出貨量均有成長,第二季 DRAM 產業營收約 114.3 億美元,季增 20.4%,終結連續三季的跌勢。其中,SK 海力士(SK hynix)出貨量季增超過 35%,且平均銷售單價(ASP)較高的 DDR5、HBM 出貨占比顯著增長,帶動 SK 海力士 ASP 逆勢成長7~9%,推升 SK 海力士第二季營收季增近 5 成,成長幅度居冠,達 34.4 億美元,回歸第二名。 繼續閱讀..

DRAM 價格沒止跌、Q4 仍承壓,保守 2024 年 H1 復甦

作者 |發布日期 2023 年 08 月 22 日 12:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件

記憶體廣泛應用於各項電子產品,供需變化與產業循環相當密切,因此具有大宗商品的特性,價格是衡量需求的重要指標。外界期待記憶體市況即將回溫,但有分析師調查發現,記憶體行情走勢不如預期,反映記憶體市場復甦可能比想像慢。 繼續閱讀..