Tag Archives: dram

原廠底氣來了?記憶體 Q4 合約價漲定

作者 |發布日期 2023 年 09 月 20 日 8:48 | 分類 半導體 , 記憶體

記憶體在經過史上最長的庫存調整期後,近期屬合約市場下游的業者,已被原廠通知 Q4 合約價要調漲,也讓走合約市場客戶在 9 月份可以有時間向其下游通知漲價,這一波漲價由 8-9 月份現貨市場開始反彈,走現貨的模組廠率先反應,報價則可快速反應,而合約市場則會在 Q4 陸續落實漲價。

繼續閱讀..

NAND Flash 低成本與能搶進 AI 市場利基,外資挺群聯目標價 500 元

作者 |發布日期 2023 年 09 月 08 日 11:00 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

美系外資指出,在具備 NAND Flash 較低成本優勢,加上近期 NAND Flash 價格反彈與 AI 伺服器市場需求的提升,另外設備商 ACMR 受惠於中國利基型 DRAM 需求持續到 2024 年,而且群聯有機會提供控制器等產品,還有機會供應 HBM 的情況下,給予群聯 「優於大盤」投資評等,目標價由每股新台幣 470 元,提升至 500 元。

繼續閱讀..

外資預期記憶體復甦態勢,看好群聯、華邦電,調升南亞科評等

作者 |發布日期 2023 年 09 月 08 日 9:30 | 分類 半導體 , 會員專區 , 記憶體

美系外資全球記憶體產業研究指出,雖然保守態度持續,但 NAND Flash 庫存與定價還在調整,顯示廠商巨大虧損收斂中。DRAM 部分,因 HBM 需求擴大,DRAM 與 HBM 分成兩個市場,台系記憶體供應商群聯、華邦電受惠,給予「優於大盤」評等,南亞科也提升至「中立」評等,力積電與旺宏維持「不如大盤」評等。

繼續閱讀..

歷經今年低基期,2024 年 DRAM、NAND Flash 需求位元年增 13% 及 16%

作者 |發布日期 2023 年 08 月 30 日 14:15 | 分類 國際貿易 , 記憶體

TrendForce 表示,2024 年記憶體原廠對 DRAM 與 NAND Flash 的減產策略延續,尤其以虧損嚴重的 NAND Flash 更明確。2024 上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗,加上通用型伺服器資本支出仍受 AI 伺服器排擠顯得相對需求疲弱,有鑑於 2023 年基期已低,加上部分記憶體產品價格到相對低點,DRAM 及 NAND Flash 需求位元年成長率分別為 13.0% 及 16.0%。儘管需求位元回升,明年若要有效去化庫存,並回到供需平衡狀態,重點還是仰賴供應商產能節制,若供應商產能控制得宜,記憶體均價有機會反彈。 繼續閱讀..