Tag Archives: EUV

荷蘭政府不再揭露 ASML 中國銷售資訊，防止追溯特定公司
作者 |發布日期 2025 年 01 月 22 日 12:00 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

路透社報導，荷蘭政府 2023 年9 月起不揭露微影曝光大廠艾司摩爾 (ASML) 中國銷售狀況。此政策從未報導，原因是備受關注，因荷蘭政府以往會公布有潛在軍事用途的「兩用」商品出口資訊。此政策施行後，代表靠此數據了解各國軍事能力的專家與單位，不能再掌握詳細狀況。

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科林研發宣布新乾式光阻技術，可建立 28 奈米間距的高解析度圖案化
作者 |發布日期 2025 年 01 月 17 日 10:02 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備
科林研發

科林研發（ Lam Research）宣布其創新的乾式光阻（dry resist）技術可直接印刷 28 奈米間距之後段（BEOL）邏輯製程，適用於 2 奈米以下先進製程，現已獲得在奈米電子與數位技術領域中，極具領導地位的研究與創新中心 imec 所認證。 繼續閱讀..

銩雷射取代 EUV 二氧化碳雷射，節能高效率生產晶片
作者 |發布日期 2025 年 01 月 06 日 9:00 |
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分類 光電科技 , 半導體 , 晶片

外媒報導，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（Lawrence Livermore National Laboratory，LLNL）正在研發銩元素的拍瓦（petawatt）級雷射，有望取代極紫外光曝光（EUV）二氧化碳雷射，並將光源效率提升約十倍，可能為超越 EUV 微影曝光設備開啟新局，以更快速度和更低能耗製造晶片。

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中芯國際新製程發展難突破，華為到 2026 年仍依賴有限 7 奈米
作者 |發布日期 2024 年 11 月 22 日 9:00 |
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分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體

外媒報導，今年稍早華為和中芯國際開發 5 奈米製程，達成新里程碑。但晶圓是中芯國際用較舊 DUV 曝光機生產，故良率悽慘。現階段這問題也延續至 7 奈米製程，且台積電早在 2018 年就量產 7 奈米，代表中芯國際落後競爭對手多世代。

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2030 年全球晶圓廠 EUV 每年耗電量，超過新加坡或希臘用電總合
作者 |發布日期 2024 年 11 月 02 日 13:30 |
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分類 半導體 , 材料、設備 , 能源科技

極紫外光（EUV）微影曝光是未來幾年現代半導體製程技術不可或缺的關鍵，然每台 EUV 設備消耗 1,400KW 電力，相當於一個小城市的電力消耗，使 EUV 曝光系統成為一個巨大的電力消耗者，對環境產生影響。TechInsights 研究報告指出，到 2030 年，所有配備 EUV 微影設備的晶圓廠，其總耗電量將超過每年 54,000 GW，這比許多國家，包括新加坡或希臘每年消耗的電力還要多。

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