Tag Archives: GaN

氮化鎵晶片突破 800°C,高溫性能大爆發

作者 |發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 | 分類 半導體 , 晶片

在半導體領域,氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)之間的競爭持續升溫。最近,賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下,成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片,這一溫度足以融化食鹽,顯示出其在極端環境下的潛力。

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第三代半導體產業競爭深化:SiC 震盪促 GaN 垂直整合加速布局

作者 |發布日期 2025 年 07 月 23 日 7:30 | 分類 半導體 , 技術分析 , 會員專區

高功率和高頻應用場景,包含 5G / 6G 通訊基地台、航空航太系統,GaN 元件需求將顯著成長,預估 2025 年全球 GaN 功率半導體市場規模為 7.5 億美元,相較 2024 年成長 62.7%,至 2030 年規模約達 43.8 億美元,CAGR 為 42.3%,反映其成長動能正在超越傳統矽基與 SiC 材料。

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中國三大矽晶圓供應商產能快速成長!外資估 2027 年能滿足中國 36% 需求

作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 9:56 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 晶圓

針對中國矽晶圓、碳化矽(SiC)基板、氮化鎵(GaN)市場現況,外資出具最新報告分析,中國本土 12 吋矽晶圓供應商,2024 年能滿足中國 41% 的需求,預估 2027 年將達 54%,而 8 吋 2024 年能滿足 64% 需求,預估 2027 年將達 78%。

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2025 年 GaN 發展將隨著 5G 普及和無線通訊推動下成長

作者 |發布日期 2025 年 06 月 24 日 7:30 | 分類 技術分析 , 會員專區 , 材料

氮化鎵(GaN)高頻基板為目前 5G 通訊系統之關鍵材料,與傳統矽基板相比,其具有較佳效率、熱性能和高功率密度。隨著 5G 在全球持續部署,對高頻性能和更高訊號完整性需求不斷成長下,先進基板需求亦隨之增加。GaN 為功率放大器和射頻元件理想選擇,潛在應用領域已從通訊擴展到汽車和工業領域,將進一步鞏固 GaN 在高頻電子領域的地位。 繼續閱讀..

GaN 功率晶片商 Navitas 繼輝達後再獲大單 股價夯

作者 |發布日期 2025 年 06 月 04 日 16:15 | 分類 半導體 , 晶片 , 零組件

第三代半導體氮化鎵(GaN)功率 IC 領導大廠納微半導體(Navitas Semiconductor)日前喜獲輝達(Nvidia Corp.)訂單、股價一天暴漲逾 160% 後,逐漸受到市場重視。Navitas 最新發布的聲明稱,已跟法國功率電子公司 BrightLoop Converters 簽訂合作協議,股價聞訊再次衝高。

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為 NVIDIA 資料中心開發新電源架構,納微半導體盤後飆 200%

作者 |發布日期 2025 年 05 月 22 日 10:28 | 分類 AI 人工智慧 , 財經

AI 資料中心已經成為全球科技基礎建設,美國成為這波工業革命的核心,最近在沙烏地阿拉伯的大陣仗就看出 AI 技術攻勢的力道。同時也帶動整個供應鏈崛起,包括第三類半導體大廠納微半導體 (Navitas Semiconductor) 因打入 Nvidia 供應鏈,美股盤後股價一度飆漲 200%繼續閱讀..