在半導體領域,氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)之間的競爭持續升溫。最近,賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下,成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片,這一溫度足以融化食鹽,顯示出其在極端環境下的潛力。
氮化鎵晶片突破 800°C,高溫性能大爆發 |
作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 | 分類 半導體 , 晶片 |
氮化鎵晶片突破 800°C,高溫性能大爆發 |
作者 TechNews 編輯台|發布日期 2025 年 08 月 12 日 11:30 | 分類 半導體 , 晶片 | edit |
在半導體領域,氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)之間的競爭持續升溫。最近,賓夕法尼亞州立大學的研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下,成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片,這一溫度足以融化食鹽,顯示出其在極端環境下的潛力。
新型 3D 晶片製造技術,使電子產品更快、更節能 |
作者 Emma stein|發布日期 2025 年 06 月 25 日 12:18 | 分類 半導體 , 尖端科技 , 晶片 | edit |
麻省理工學院團隊開發一種新製造方法,能以更低成本將高性能氮化鎵電晶體無縫集成至標準矽 CMOS 晶片。 繼續閱讀..
納微打入 NVIDIA 供應鏈!高壓直流架構有望成 AI 資料中心趨勢 |
作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 05 月 22 日 11:11 | 分類 AI 人工智慧 | edit |
納微半導體宣佈與 NVIDIA 合作開發新一代 800 V 高壓直流(HVDC)電力架構,將支援包括 Rubin Ultra 在內 GPU 的機架級系統供電。消息一出,納微半導體週三(21 日)盤後股價飆漲逾 180%。 繼續閱讀..
中國 SiC、GaN 產業脈動分析 |
作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2024 年 12 月 10 日 7:30 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 技術分析 | edit |
政策助力,加速中國第三類半導體發展。中國第三類半導體產業雖起步較晚,但中國政府強力支持和政策推動,取得顯著進展,尤其 SiC 和 GaN 材料,因優異高壓高溫與高頻性能,電動車、再生能源與等新興領域展現巨大應用潛力。