面對競爭對手美光及 SK 海力士,雖然還沒有發表任何產品,但三星仍宣布開始大規模生產 236 層 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片,命名為第八代 V-NAND。
三星宣布量產 236 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 11 月 08 日 11:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 會員專區 |
鎧俠攜手威騰日本 Fab7 晶圓廠落成,2023 年出貨 162 層 NAND Flash |
| 作者 Atkinson|發布日期 2022 年 10 月 26 日 17:50 | 分類 公司治理 , 半導體 , 晶片 | edit |
根據日媒報導,記憶體大廠鎧俠 (Kioxia) 和威騰 (Western Digital ) 在日本慶祝位於四日市最先進製程晶圓廠 Fab7 完工。 Fab7 晶圓廠第一期的總投資約為 1 兆日圓 (約新台幣2,220億元),而第一階段的部分投資金額將由政府補貼資助。Fab7 的產能在未來隨著時間而逐步增加之後,將促進頂尖半導體生產設施發展,並確保日本半導體的穩定供貨。
需求快速轉弱、供應端庫存難去化,記憶體廠罕見減產因應 |
| 作者 TechNews|發布日期 2022 年 10 月 03 日 15:52 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財經 | edit |
TrendForce 調查顯示,2021 年第四季起受部分消費性電子需求走弱影響,記憶體價格進入下跌走勢,加上高通膨、俄烏戰事與防疫封控的衝擊,旺季不旺,庫存壓力由買方端延伸至原廠。為因應前述情況,美光(Micron)上週宣告減產 DRAM 與 NAND Flash,為首家正式下調產能利用率的記憶體大廠。NAND Flash 市況較 DRAM 更嚴峻,隨著主流容量晶圓合約均價跌至現金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)繼美光後也公告 10 月起減少 NAND Flash 產能利用率達 30%。 繼續閱讀..
