Tag Archives: 三星

iPhone 16 奪 Q325 全球最暢銷手機,蘋果、三星包辦前十

作者 |發布日期 2025 年 12 月 05 日 15:54 | 分類 Android 手機 , Apple , iPhone

據調研機構 Counterpoint Research 全球手機型號銷售報告顯示,蘋果 iPhone 16 為 2025 年第 3 季全球最暢銷手機。三星與蘋果各占榜單前十名的五個席次,合計貢獻該季全球智慧手機總量的 20%。5G 手機首次在第 3 季包辦前五名,5G 已成為主流並成為各地消費者的核心需求。

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3Q25 企業級 SSD 價量齊升,產業營收季增 28%

作者 |發布日期 2025 年 12 月 05 日 14:13 | 分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 半導體

第三季企業級 SSD 市場顯著成長。TrendForce 最新調查,受惠 AI 需求快速從訓練端外溢至推論端, 以及北美雲端服務業者(CSP)同步擴張 AI 基礎設施與通用型伺服器,第三季企業級 SSD 出貨量與價格強勢上揚,五大品牌廠合計營收季增 28% 達 65.4 億美元,創今年新高。 繼續閱讀..

同價不同質!三星 Galaxy S26 韓版搭載 Exynos 2600 晶片,消費者激烈反彈

作者 |發布日期 2025 年 12 月 05 日 11:40 | 分類 Android 手機 , Samsung , 半導體

儘管面臨長期的性能質疑,韓國三星仍決定在 2026 年推出的旗艦手機 Galaxy S26 系列中,重新啟用自家研發的 Exynos 2600 晶片。然而,這項採用「雙晶片」的區域分配策略,已在歐洲、韓國及亞洲其他市場引發強烈反彈,批評者認為這是對消費者的不平等對待。尤其因為搭載 Exynos 系列晶片的機型與採用高通(Qualcomm)Snapdragon 晶片的機型在價格上保持一致,所以重新點燃了消費者長期以來對於硬體規格差異的抱怨。

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全球記憶體供不應求產生諸多異象,引發市場供應鏈危機

作者 |發布日期 2025 年 12 月 04 日 15:40 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 技術分析

全球記憶體產業正經歷一場由人工智慧(AI)需求帶動的史無前例供應鏈風暴。這場危機的起始點來自對高階記憶體(特別是高頻寬記憶體 HBM)的強大需求,但其衝擊卻已蔓延至傳統消費電子和PC市場,導致所有類型記憶體供應鏈面臨急劇收緊。

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AI 基礎建設助力 NAND Flash 產業,3Q25 鎧俠營收季增 33.1% 最多

作者 |發布日期 2025 年 12 月 03 日 15:58 | 分類 AI 人工智慧 , 儲存設備 , 半導體

TrendForce 最新調查,第三季因雲端服務業者(CSP)持續擴建 AI 基礎建設,企業級 SSD 需求強勁,帶動五大 NAND Flash 品牌商合計營收季增 16.5%,逼近 171 億美元。上半年減產措施奏效,下半年供需失衡情況獲改善,加上企業級 SSD 銷售占比提高,各原廠的平均銷售單價(ASP)皆有上漲。 繼續閱讀..

親兄弟也要明算帳,三星 DS 部門拒絕與 MX 部門簽 DRAM 年度長約

作者 |發布日期 2025 年 12 月 02 日 7:30 | 分類 Android 手機 , Samsung , 公司治理

根據韓國媒體報導,三星旗下半導體(DS)部門近期已決定,對其負責生產智慧型手機的型動經驗(MX)部門維持單季合約採購 DRAM 的供應模式。儘管 MX 事業部曾積極尋求一年以上的長期供貨合約,但 DS 部門為了在當前的記憶體超級週期中極大化獲利,堅持維持三個月的單季合約策略。

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市場憂缺貨衝擊 SK 海力士新品時程!會長崔泰源:確實收到許多供應請求

作者 |發布日期 2025 年 11 月 30 日 10:43 | 分類 AI 人工智慧 , 伺服器 , 半導體

隨著 AI 應用需求急速攀升,全球記憶體半導體市場面臨前所未有的供應緊張,市場憂記憶體缺貨恐衝擊 SK 海力士次世代 HBM4 新品推出時程,SK 集團會長崔泰源日前在論壇表示,確實收到許多公司要求供應記憶體的請求,目前正在處理如何回應供貨。

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SK 海力士積極擴產標準型 DRAM 產能,逐漸與三星進入市占率爭奪戰

作者 |發布日期 2025 年 11 月 28 日 19:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體

由於AI伺服器對於高頻寬記憶體(HBM)的龐大且強勁需求,記憶體製造商不得不將資源優先投入HBM的生產。這種資源集中導致了對標準型DRAM的排擠效應,進而造成個人電腦、筆記型電腦、智慧型手機及一般伺服器所需的標準型DRAM供應日益吃緊。為此,全球第二大記憶體製造商SK海力士(SK Hynix)正採取積極行動,全面擴大標準型DRAM的生產規模。

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三星研究以電鐵材料降低 NAND Flash 耗電量,最多達 96%

作者 |發布日期 2025 年 11 月 28 日 15:50 | 分類 Samsung , 半導體 , 材料、設備

為積極應對人工智慧(AI)時代日益嚴峻的電力危機,韓國三星旗下的先進技術研究院(SAIT)近日宣布了一項突破性的基礎技術,也就是研究人員在全球率先發現了一種核心機制,能夠將現有 NAND Flash 的功耗降低高達 96%,有望為解決能源消耗問題做出重大貢獻。而這項重要的研究成果已由 SAIT 與半導體研究所的 34 位研究人員共同撰寫,題為「用於低功耗 NAND Flash 的鐵電晶體管」論文,並成功發表於《自然》國際學術期刊上。

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DRAM 供應吃緊帶動價格持續上揚,衝擊 NAND 的 SSD 市場

作者 |發布日期 2025 年 11 月 28 日 7:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

市場消息指出,受惠於伺服器對記憶體需求的爆炸性成長,全球記憶體市場正經歷一場前所未有的價格與供貨危機。人工智慧(AI)基礎設施的強勁需求,加上製造商新製程的良率挑戰,共同推高了關鍵零組件的價格,並導致供應鏈吃緊。

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