韓國記憶體大廠 SK 海力士今日宣布,量產全球最高 321 層堆疊 1Tb TLC 4D NAND Flash 快閃記憶體。
突破 300 層門檻!SK 海力士量產 321 層堆疊 NAND Flash |
作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 21 日 9:40 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體 |
2025 年 AI 晶片革命 HBM 市場分析預測未來走向 |
作者 TrendForce 集邦科技|發布日期 2024 年 10 月 30 日 7:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 技術分析 | edit |
HBM 為 AI 晶片的關鍵組件,持續於 AI 伺服器、資料中心、自駕車、智慧型消費電子等高效能運算領域不斷拓寬,且 HBM 開發週期縮短至一年,HBM4 晶片商也開始啟動客製化要求,未來可能不再排列在 SoC 主晶片旁,而是堆疊在 SoC 晶片上,此時垂直堆疊問題也逐一顯現,如散熱、分工與成本等。 繼續閱讀..