富士通半導體成功為 1Mb 序列 FRAM 開發超小型封裝

作者 | 發布日期 2015 年 07 月 08 日 13:55 | 分類 市場動態 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
Flickr/Bernat Agullo

香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出 1 Mb FRAM (鐵電隨機存取記憶體)的 MB85RS1MT 元件,並採用 8 針腳晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP)製程。全新的 WL-CSP 製程可讓封裝面積僅有目前 8 針腳 SOP(small-outline package)封裝的 23%,而厚度也約其五分之一,實現將擁有序列周邊介面 SPI 的 1 Mb FRAM 變成業界最小尺寸的 FRAM 元件。



WL-CSP FRAM 為穿戴式裝置的理想記憶體元件,除了可讓終端應用產品的整體積變小外,更可讓 FRAM 在寫入資料時將功耗降至最低,並提供更持久的電池續航力。

穿戴式市場是目前備受矚目的焦點,並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多,包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等,以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點,皆為須持續的即時記錄資料。

一般的非揮發性記憶體技術,如 EEPROM 和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入 100 萬次,而富士通的 FRAM 技術則可將資料完整性大大提高到保證最少 10 兆次讀 / 寫次數,因此對於在儲存即時記錄資料特別理想。

為了更加利用 FRAM 的上述特性,富士通半導體如今為其 MB85RS1MT 產品線中的 1Mb FRAM 元件增添了全新 WL-CSO 封裝。MB85RS1MT 元件已採用業界標準的 SOP 封裝,然而採用 WL-CSP 封裝後,其體積僅 3.09 × 2.28 × 0.33 mm 大小,而封裝面積只有 SOP 封裝的 23%;換言之,即能比 SOP 封裝的面積減少 77%。此外,其厚度僅 0.33 mm,相當於信用卡厚度的一半,而封裝體積更比 SOP 封裝小了 95%。

SOP&WL-CSP-1

▲ SOP 及 WL-CSP 封裝比較

SOP&WL-CSP-2

▲ 封裝面積比較

SOP&WL-CSP-3

▲ 封裝厚度比較

SOP&WL-CSP-4

▲ 封裝體積比較

低功耗作業是 FRAM 眾多優點之一。相較於一般使用的 EEPROM 非揮發性記憶體,FRAM 寫入資料的速度也比較快,因此可在寫入資料時大幅降低功耗。基於此原因,為了即時記錄而需經常性寫入資料的穿戴式裝置在採用此 FRAM 後,可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。

SOP&WL-CSP-5

▲ 寫入時功耗量比較

採用 WL-CSP 封裝的 MB85RS1MT 元件,對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品,並大幅延長電力。富士通半導體以其一貫作風,持續為客戶終端產品提供兼具提升價值和實用性的產品及解決方案。

(首圖來源:Flickr/Bernat Agullo CC BY 2.0) 

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