SK 海力士追上三星成全球第二,量產 20 奈米 DRAM

作者 | 發布日期 2015 年 10 月 15 日 16:45 | 分類 Samsung , 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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SK 海力士終於趕上三星電子,成為全球第二家成功量產 20 奈米 DRAM 的廠商。該公司也力拚 3D NAND Flash 研發,期盼能在明年量產 48 層 3D NAND。



BusinessKorea 15 日報導,SK 海力士人員受訪表示,該公司引入 20 奈米 DRAM 製程,過程雖有困難,但已經穩定,開始寄送樣品給客戶、進入量產。據此而言,SK 海力士是世界第二家量產 20 奈米 DRAM 的業者。三星首開先例,去年 3 月就量產 20 奈米 DRAM。

SK 海力士也宣布 3D NAND 研發計畫,社長朴星昱(Park Sung-wook)表示,計劃今年逐步發展 36 層 3D NAND,明年全面量產 48 層 3D NAND,和三星較勁的意味濃厚。三星電子 8 月 10 日宣布,第三代 V-NAND 已正式量產,以 48 層 3-bit MLC 堆疊。

據傳該公司有意拓展系統半導體業務,Park 說,這無法短時間內能辦到,需要進一步提升能力,若不如此連購併都難以進行,將先發展內部實力,包括晶圓代工等,再來考慮下一步。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

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