美日韓增產 NAND flash,國際大戰將開打

作者 | 發布日期 2016 年 01 月 15 日 17:20 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
MDJ新聞 配圖

3D NAND flash 漸成業界主流,需求飆升有望,各大廠商爭相增產,據傳東芝(Toshiba)、三星電子、英特爾等都計劃擴產,一場 3D NAND flash 大戰即將開打。



BusinessKorea 15 日報導,東芝聯合 SanDisk 抗韓,大手筆增產。去年第三季,東芝和 SanDisk 為全球 NAND flash 的第二和第三,市佔各為 20.5%、15.4%,合併市佔比三星多出 4.4%。強敵來勢洶洶,3D NAND 鼻祖三星不敢小覷,外傳中國西安廠將裝設更多 3D NAND 生產設備。目前三星西安廠的 3D NAND 產量為每月 10 萬片晶圓。

半導體龍頭英特爾(Intel)也沒閒著,中國大連廠將在今年下半生產 3D NAND。大連廠設備老舊,英特爾將砸 55 億美元升級產能,盼量產 3D NAND 和 Xpoint。

3D NAND 用途廣泛,可用於伺服器、SSD、SD 卡、智慧手機、平板、筆電等,業者看好商機砸下重金,明年東芝和英特爾的 3D NAND 產能可能是三星西安廠的 2~3 倍,將威脅三星的霸者地位。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載)

延伸閱讀:

發表迴響