3D NAND、10 奈米製程與 DRAM 將成晶圓廠設備支出成長主要動力

作者 | 發布日期 2016 年 03 月 14 日 15:00 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly
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SEMI(國際半導體產業協會)公布最新「SEMI 全球晶圓廠預測」(SEMI World Fab Forecast)報告,2016 年包括新設備、二手或專屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加 3.7%,達 372 億美元,而 2017 年則將再成長 13%,達 421 億美元。另方面,2015 年晶圓廠設備支出為 359 億美元,較前一年微幅減少 0.4%。



SEMI 全球晶圓廠預測,不僅詳列整個產業的晶圓廠相關支出,範圍還擴及 2017 年底前之市場展望。2016 年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為 2017 年儲備動能。2017 年相關支出可望回復兩位數成長率。

新聞稿

▲ 2011 年至 2017 年晶圓廠設備支出。

對成長貢獻最大之類別包括晶圓代工、3D NAND 晶圓廠,以及準備在 2017 年拉升 10 奈米製程產能的業者。專業晶圓代工廠仍然是最大支出來源。而 2015 年支出從 107 億美元略為下滑至 98 億美元(較前一年減少 8%),惟 2016 年可望增加 5%,2017 年成長率更將接近 10%。

DRAM 支出緊追在晶圓代工之後,排行第二。2015 年 DRAM 支出表現強勁,但 2016 年可望趨緩,下滑 23%,到 2017 年將恢復上揚趨勢,成長率上看 10%。

就支出成長率來看,最大成長動力來自 3D NAND(包括 3D XPoint)。2014 年支出為 18 億美元,到 2015 年倍增至 36 億美元,成長幅度高達 101%。2016 年支出將再增加 50%,上揚 56 億美元以上。

設備支出增加因受 6 家業者帶動之下,其支出的排名皆於全球前十名之列。這 6 家公司均宣布計劃於 2016 年增加資本支出,但預料最大支出企業三星的資本支出將會低於 2015 年。

帶動 2017 年設備支出成長的,還有 24 處在 2015 年或今年開始動工的廠房(不含研發設施)。這些廠房位於全球各地,由中國囊括其中 8 座。

近來半導體業在購併方面屢屢締造新紀綠,2016 年可望有更多交易案浮上檯面。2015 年半導體設備支出整體成長持平,2016 年亦將維持緩慢成長,證明市場已趨於成熟。新的技術、製程與新型記憶體元件,將在 2017 年帶動支出成長。

(首圖來源:Micron) 

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