北美資料中心需求支撐,Server DRAM 漲勢延續

作者 | 發布日期 2018 年 01 月 10 日 15:00 | 分類 伺服器 , 晶片 , 零組件 follow us in feedly

根據 TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,2018 年第一季在供需仍然略為吃緊的狀況下,Server DRAM 價格將持續上揚;同時由於 2666Mhz / 2400Mhz 正式取代 2133Mhz 的產出, 高頻寬伺服器模組將會逐漸成為市場主流。



自 2017 年第三季起,Server DRAM 隨著北美資料中心建案而供貨吃緊進而帶動整體漲幅,備貨超出預期。展望今年上半年,因 DRAM 製造商對產能計畫趨於保守,實質新產能開出時間將會遞延至下半年,導致上半年供給受限,整體市場供給仍吃緊,預期至少今年上半年 Server DRAM 漲價格局將延續。

從目前 Server DRAM 報價來看,除長期協議(Long-Term Agreement)客戶已談定報價外,在 DDR4 32GB RDIMM 價格皆已協議在 300 美元水準,伺服器二線代工廠將會鎖定在 310 美元大關, 相較於 2017 年第四季,平均季漲幅將維持 3-5%。

Server DRAM 製程轉進 1X 奈米,三星產能大幅領先

觀察各廠 Server DRAM 產出製程,三星今年的重點將會加速提高 18 奈米製程的投片,同時 SK 海力士與美光陣營也分別會開出在 18 與 17 奈米的製程,進而提升自家高容量伺服器模組的比重。

若從競爭格局來看,製程領先的三星,將會在今年第一季大幅轉進至 18 奈米的投片量,18 奈米製程將占自家產能逾半的比重,大幅領先其他 DRAM 供應商;然而,SK 海力士與美光則會隨著良率改善而有效率的做產能分配,預期今年底 1x 奈米製程會占兩家公司整體產能的三成比重。

此外,大多數伺服器廠皆已陸續開始驗證 DRAM 原廠先進製程的樣品,DRAMeXchange 預估,第二季轉進至 17 與 18 奈米製程的產量會較具規模,並冀望第四季前 17 / 18 奈米製程的產品滲透率達到近四成水準,可預期的是應用於伺服器的高容量模組如 32GB DDR4 2666Mhz RDIMM 滲透率將提升。

(首圖來源:shutterstock)