SK 海力士宣告第二代 10 奈米級 DRAM 2019 年 Q1 量產

作者 | 發布日期 2018 年 11 月 12 日 16:00 | 分類 晶片 , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

SK 海力士週一宣布,已成功開發第二代 10 奈米製程 DDR4 DRAM,效能與省電方面均有顯著改善。



根據 SK 海力士表示,對比第一代 10 奈米製程,第二代提升記憶體效能兩成,耗電量降低 15%,資料傳輸率則上看 3,200 Mbps,預定明年第一季開始量產。(韓聯社)

SK 海力士宣稱採用四象時脈(four-phase clocking)技術,可使訊號傳輸速度加倍,效果如同高速公路增設收費站以加快汽車通行量。除此之外,SK 海力士還同時改善電晶體結構,以降低資料傳輸的錯誤率。

SK 海力士計劃拓展 10 奈米等級 DRAM 應用範圍至桌上型電腦、伺服器與行動裝置等,並將視市況機動調整產出。

據市調機構 Dramexchange 上週五表示,DRAM 現貨市況停滯,多數買家仍預期價格走跌,整體價格偏弱,依舊呈現下行趨勢。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:SK 海力士

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