SK 海力士週一宣布,已成功開發第二代 10 奈米製程 DDR4 DRAM,效能與省電方面均有顯著改善。
根據 SK 海力士表示,對比第一代 10 奈米製程,第二代提升記憶體效能兩成,耗電量降低 15%,資料傳輸率則上看 3,200 Mbps,預定明年第一季開始量產。(韓聯社)
SK 海力士宣稱採用四象時脈(four-phase clocking)技術,可使訊號傳輸速度加倍,效果如同高速公路增設收費站以加快汽車通行量。除此之外,SK 海力士還同時改善電晶體結構,以降低資料傳輸的錯誤率。
SK 海力士計劃拓展 10 奈米等級 DRAM 應用範圍至桌上型電腦、伺服器與行動裝置等,並將視市況機動調整產出。
據市調機構 Dramexchange 上週五表示,DRAM 現貨市況停滯,多數買家仍預期價格走跌,整體價格偏弱,依舊呈現下行趨勢。