三星電子第七代高頻寬記憶體 HBM4E 開發進程持續推進。根據《The Elec》報導,三星 HBM4E 已完成基底晶粒(base die)前段設計,並正式進入後段(back-end)實體設計階段,距離投片再向前邁進一步。 繼續閱讀..
三星 HBM4E Base Die 完成前段設計,後段實體設計啟動 |
| 作者 蘇 子芸|發布日期 2026 年 01 月 23 日 9:09 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 |



