韓國與日本研究團隊近日提出兩種全新的記憶體整合構想,試圖在不讓高頻寬記憶體(HBM)堆疊持續升高的情況下,提升容量與頻寬,同時緩解 AI 晶片最棘手的散熱壓力。兩項研究都在 6 月舉行的 2026 IEEE/JSAP VLSI Technology and Circuits Symposium 上發表,核心思路都是把 DRAM 晶片從傳統「向上堆疊」改為「側向立起」配置。 繼續閱讀..
日韓團隊提突破性 AI 記憶體設計,DRAM「側向立起」破解 HBM 散熱與頻寬瓶頸 |
| 作者 TechNews 編輯台|發布日期 2026 年 07 月 13 日 10:50 | 分類 半導體 , 記憶體 |



