受惠 DDR 4 漲價潮,南亞科、華邦電領漲記憶體類股盤面紅通通 |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 18 日 12:45 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 |
Category Archives: 記憶體
高層數堆疊 NAND 市場與技術都有挑戰,三星延後投資 V10 NAND |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 16 日 15:40 | 分類 Samsung , 半導體 , 材料、設備 |
韓國媒體報導,面臨著複雜的內外部挑戰情況下,三星目前正就其下一代 NAND Flash 快閃記憶體 V10 的量產策略進行深度審慎評估。據了解,這項關鍵的投資計畫,原預計於 2025 年下半年啟動,現在則可能推遲到 2026 年上半年才能進行大規模的量產投資。至於延宕的主因,包括高堆疊層數 NAND Flash 需求的市場不確定性、引進新技術所伴隨的龐大成本壓力,以及新製程技術實際應用上的困難。
美光逆襲!搶先拿下 SOCAMM 量產批准,嚇歪韓媒「老三上演大反撲」 |
作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 06 月 10 日 22:32 | 分類 AI 人工智慧 , 晶片 , 記憶體 |
根據韓媒和爆料者 @Jukanlosreve 報導,NVIDIA 委託三星、SK 海力士和美光開發 SOCAMM 記憶體模組,出乎意料的是美光竟是第一家獲得量產批准的公司,速度比老大哥三星、SK 海力士快。這個消息也讓韓媒相當驚恐,直接在標題下「『老三上演大反撲』引起恐慌」。 繼續閱讀..