Category Archives: 記憶體

美光受惠 HBM、財報財測夯盤後飆 7% 後漲幅驟縮

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 06 月 26 日 8:25 |

分類半導體 , 記憶體 , 財報

美國記憶體大廠美光（Micron Technology Inc.）受惠於 AI 用高頻寬記憶體（HBM）的強大需求，不但上季淨利、營收擊敗華爾街預期，展望也相當強勁。繼續閱讀..

NVIDIA RTX PRO 6000 特規版市場期待高但難掩三大挑戰：性價比拉鋸、中國競爭、記憶體吃緊

作者 TechNews|發布日期 2025 年 06 月 24 日 14:15 |

分類 GPU , 半導體 , 記憶體

近期市場對於 NVIDIA RTX PRO 6000 系列產品的討論聲量高，預估需求支撐下，整體出貨將有不俗表現。然 TrendForce 資深研究副總吳雅婷認為，中國市場 NVIDIA RTX PRO 6000 低壓降規版方案面臨性價比劣勢及中國業者競爭，加上記憶體供應緊張，出貨量是否能如市場期待，仍有變數。繼續閱讀..

DDR4 價暴漲 DRAM 史上首次前一代報價比最新規格貴一倍，南亞科、華邦樂

作者經濟日報|發布日期 2025 年 06 月 24 日 10:30 |

分類半導體 , 記憶體

DDR4 現貨價持續飆漲，23 日 DDR4 16Gb 晶片出現報價比同樣為 16Gb 容量、但較更先進規格的 DDR5 貴約一倍的狀況，是 DRAM 史上首次前一代產品報價竟比最新規格高 100%。繼續閱讀..

【更新】SK 海力士再度領先美光與三星，送樣提供輝達 16 層堆疊 HBM4

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 19 日 15:40 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

外媒報導，SK 海力士近期再次在高頻寬記憶體（HBM）市場取得領先地位，成為首家向輝達 (NVIDIA) 供應下一代 HBM4 模組的廠商。這些記憶體將用於輝達的 Rubin AI GPU 的樣品測試。這代表著 SK 海力士在 HBM 領域的持續主導地位，並在與美光和三星的競爭脫穎而出。

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受惠 DDR 4 漲價潮，南亞科、華邦電領漲記憶體類股盤面紅通通

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 18 日 12:45 |

分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片

受惠 DDR 4 記憶體價格近期大漲，台股中已經被冷落很久的記憶體廠商如同睡醒猛獅，18 日開盤成為織成台股指數的要角。台灣最大 DDR4 供應商南亞科股價強勢上攻，盤中一度觸及漲停板價位，連帶拉抬其他記憶體類股的向受走勢，包括華邦電、十銓、廣穎、品安等都有半根停板以上的走勢。

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DDR 4 價格狂飆不回頭，近期大漲 20% 嘉惠南亞科、華邦電

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 18 日 9:40 |

分類半導體 , 記憶體 , 證券

DDR4 現貨價飆不停，繼上週五在 8Gb、16Gb 等規格的產品，現貨價單日都勁揚近 8%，本週價格持續飆漲。17 日晚間 DDR4 16Gb 3200 現貨價再漲 6.32%，DDR4 4Gb 更是一口氣暴漲 8.77%，再度讓業界吃驚。總計，本週僅兩個交易日，DDR4 的現貨價又漲了超過 12%，甚至高達 16% 以上。換言之，在近三個交易日，DDR4 現貨價累計已大漲兩成。

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HBM 開發藍圖曝光：2038 年 HBM8 架構大不同，採內嵌 NAND、雙面中介層

作者林妤柔|發布日期 2025 年 06 月 17 日 18:34 |

分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 記憶體

韓國科學技術院（KAIST）近期發表一篇長達 371 頁的論文，詳細描繪高頻寬記憶體（HBM）技術至 2038 年的演進路線，涵蓋頻寬、容量、I/O 寬度與熱功耗等面向的成長。該藍圖涵蓋從 HBM4 到 HBM8 的技術發展，包括先進封裝、3D 堆疊、嵌入式 NAND 儲存的記憶體中心架構，以及以機器學習為基礎的功耗控制手法。繼續閱讀..

AWS 建全韓最大 AI 中心 SK 海力士股價衝逾 20 年新高

作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 06 月 17 日 14:15 |

分類 Amazon , 伺服器 , 記憶體

SK 海力士（SK hynix）稱霸高頻寬記憶體（HBM）市場，近期利多消息一波接一波，17日受惠亞馬遜 AWS 擴大對韓投資，攜手 SK 海力士母公司 SK 集團打造全韓最大 AI 運算中心，激勵股價站上逾 20 年新高。繼續閱讀..

高層數堆疊 NAND 市場與技術都有挑戰，三星延後投資 V10 NAND

作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 16 日 15:40 |

分類 Samsung , 半導體 , 材料、設備

韓國媒體報導，面臨著複雜的內外部挑戰情況下，三星目前正就其下一代 NAND Flash 快閃記憶體 V10 的量產策略進行深度審慎評估。據了解，這項關鍵的投資計畫，原預計於 2025 年下半年啟動，現在則可能推遲到 2026 年上半年才能進行大規模的量產投資。至於延宕的主因，包括高堆疊層數 NAND Flash 需求的市場不確定性、引進新技術所伴隨的龐大成本壓力，以及新製程技術實際應用上的困難。

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