美國記憶體大廠美光(Micron Technology Inc.)受惠於 AI 用高頻寬記憶體(HBM)的強大需求,不但上季淨利、營收擊敗華爾街預期,展望也相當強勁。 繼續閱讀..
美光受惠 HBM、財報財測夯 盤後飆 7% 後漲幅驟縮 |
作者 MoneyDJ|發布日期 2025 年 06 月 26 日 8:25 | 分類 半導體 , 記憶體 , 財報 |
高層數堆疊 NAND 市場與技術都有挑戰,三星延後投資 V10 NAND |
作者 Atkinson|發布日期 2025 年 06 月 16 日 15:40 | 分類 Samsung , 半導體 , 材料、設備 | edit |
韓國媒體報導,面臨著複雜的內外部挑戰情況下,三星目前正就其下一代 NAND Flash 快閃記憶體 V10 的量產策略進行深度審慎評估。據了解,這項關鍵的投資計畫,原預計於 2025 年下半年啟動,現在則可能推遲到 2026 年上半年才能進行大規模的量產投資。至於延宕的主因,包括高堆疊層數 NAND Flash 需求的市場不確定性、引進新技術所伴隨的龐大成本壓力,以及新製程技術實際應用上的困難。