中芯國際受美國制裁，NOR Flash 市場吃緊嘉惠華邦電 |
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 12 月 25 日 12:50 |
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美國商務部將中國最大晶圓代工廠中芯國際列入禁售令實體清單後，未來中芯國際供應商必須符合美國技術 25% 的門檻規定。如果相關技術、材料、設備內含美國技術達 25% 門檻，要供貨給中芯國際前都必須向美國商務部提出特別許可申請，引起業界震動。受影響者不只半導體晶圓代工，也因中國編碼型快閃記憶體（Nor Flash）大廠兆易創新委由中芯國際代工，使中芯國際受制裁後，市場預估國內 Nor Flash 大廠華邦電因此受惠。
上游晶圓代工產能緊缺，NAND Flash 控制器將上漲約 15%~20% |
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作者
TechNews|發布日期
2020 年 12 月 22 日 14:20 |
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根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示，受限於上游台積電（TSMC）與聯電（UMC）等晶圓代工廠產能滿載，及下游封測產能緊缺，包含 Phison 與 Silicon Motion 等多間 NAND Flash 控制器廠商無法因應客戶的加單需求。這些控制器廠商除暫停對新訂單的需求進行報價外，由於目前為 2021 年第一季價格議定的關鍵期間，屆時控制器價格將面臨調漲，預期漲幅在 15%~20% 不等。 繼續閱讀..
韓廠提前封帳，記憶體價格止跌強彈 |
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作者
黃 敬哲|發布日期
2020 年 12 月 21 日 11:36 |
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有業界消息指出，韓廠已提前停止出貨，急單需要加價近三成，導致 DRAM 現貨價格開始飆漲。
利基型 DRAM 明年恐缺，晶豪科傳出本週報價跳漲 |
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作者
Pin|發布日期
2020 年 12 月 18 日 10:53 |
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DRAM 價格在美光跳電事件後，報價提前反轉向上。其中，利基型 DRAM 近期的走勢更是強勁，報價自 12 月開始明顯走揚，明年利基型 DRAM 甚至恐將出現供應吃緊狀況。根據業內人士透露，晶豪科本周的利基型 DRAM 現貨報價甚至出現跳增 20% 的狀況，而價格上揚的狀況已反映在中國客戶上。 繼續閱讀..
2021 年第一季 NAND Flash 仍供過於求，估季跌幅約 10%~15% |
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作者
TechNews|發布日期
2020 年 12 月 14 日 14:40 |
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據 TrendForce 旗下半導體研究處指出，2021 年 NAND Flash 各類產品總需求位元數包含 Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS 與 eMMC（41%）與 NAND Wafer（8%），由於供應商數量遠高於 DRAM，加上供給位元成長的幅度居高不下，預計 2021 年價格仍將逐季下跌。展望明年第一季，在三星、 長江存儲（YMTC）、SK 海力士與英特爾（Intel）對位元產出皆較為積極的情況下，NAND Flash 供過於求態勢將更加明顯，位元產出的季增幅達 6%，預估價格將季跌約 10%~15%。 繼續閱讀..
2021 年第一季整體 DRAM 均價將止跌回穩，價格出現微幅上漲機會 |
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作者
TechNews|發布日期
2020 年 12 月 10 日 14:38 |
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根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示，包含 PC DRAM（占總供給位元數13%）、Server DRAM（34%）、Mobile DRAM（40%）、Graphics DRAM（5%）及 Consumer DRAM（8%）等 DRAM 領域，因整體屬寡占市場型態，供需動能較 NAND Flash 明顯健康許多。歷經超過兩季的庫存修正後，為減緩預期後續漲價所造成的成本上升，2021 年第一季預計買方將開始提高庫存水位加以因應，使價格有所支撐，整體 DRAM 的平均銷售單價將止跌回穩，甚至有微幅上漲的可能。 繼續閱讀..
