Tag Archives: 3D Flash

東芝興建新廠房增產 3D Flash,活用 AI 提高生產效率

作者 |發布日期 2016 年 11 月 09 日 9:05 |
分類 AI 人工智慧 , 記憶體 , 零組件

東芝(Toshiba)8 日發布新聞稿宣布,為了增產 3D Flash Memory,將在四日市工廠內興建新廠房「第 6 廠房(Fab 6)」。東芝指出,該座新廠房將做為 3D Flash 專用廠房,將分 2 期工程興建,其中第 1 期工程將在 2017 年 2 月動工、並預計於 2018 年夏天完工。 繼續閱讀..

晶片廠增加投資!日本設備訂單增幅 33 個月來最大

作者 |發布日期 2016 年 10 月 21 日 9:40 |
分類 晶片 , 零組件

根據日本半導體製造裝置協會(SEAJ)20 日公布的初步統計顯示,2016 年 9 月份日本製半導體(晶片)製造設備接單出貨比(book-to-bill ratio;BB 值)較前月下滑 0.2 點至 0.98,連續第 3 個月下滑,且為 10 個月來首度跌破 1;BB 值低於 1 顯示晶片設備需求低於供給。 繼續閱讀..

東芝衝 NAND Flash 產量,拚增至 3 倍

作者 |發布日期 2016 年 07 月 07 日 9:05 |
分類 晶片 , 零組件

Thomson Reuters、時事通信社報導,東芝(Toshiba)統籌記憶體事業的副社長成毛康雄於 6 日舉行的投資人說明會上表示,將衝刺 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產量,目標在 2018 年度將 NAND Flash 產量擴增至 2015 年度的 3 倍水準(以容量換算)。 繼續閱讀..

西安變電站 18 日凌晨爆炸起火 多家半導體廠生產受到影響

作者 |發布日期 2016 年 06 月 18 日 19:58 |
分類 Samsung , 晶片 , 財經

根據中國媒體的報導,18 日凌晨位於西安市南郊一處的變電站疑似因為故障而引起爆炸起火,火光衝天照亮夜空,幸沒有人受傷。但逾 8 萬用戶一度停電,附近商店窗戶玻璃被震碎,汽車也有損壞。官方初步勘察後沒有發現人為破壞跡像,目前正調查事故原因。而由於該變電站供應附近多處半導體廠的供電,使得設置於該區的三星、美光、力成等半導體廠也都受到不同程度的影響,至於詳細的損害的數字有多少,目前正在詳細了解中。

繼續閱讀..

東芝攜手 SanDisk 衝刺 3D Flash,2016 年 Q1 生產

作者 |發布日期 2015 年 10 月 21 日 14:30 |
分類 Samsung , 晶片 , 零組件

南韓三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業,於去年 10 月搶先量產 3D 架構的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)產品,而三星競爭對手東芝(Toshiba)目前除藉由 15nm 製程 NAND Flash 對抗三星 3D NAND Flash 產品之外,現在也將攜手 SanDisk 衝刺 3D NAND Flash,計劃於明年第 1 季(2016 年 1-3 月)開始生產 3D 產品。

繼續閱讀..