因競爭對手台積電、三星陸續在 2018 年挺進 7 奈米先進製程，格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）日前也宣布，該公司的 7 奈米製程不但在測試良率已提升到 65%，未來將按照時程使用 EUV 技術的商用和普及，並與客戶 AMD 展開合作。根據格羅方德先前公布，7 奈米製程將在 2018 年推出，並在年底量產。
根據格羅方德全球銷售和業務發展高級副總裁 Mike Cadigan 日前在中國上海舉辦的 GTC 技術大會演講表示，隨著 5G 即將開始商用，資料傳輸的速度越來越高，手機需要滿足高速且大量的資料傳輸，需要不同以往的射頻元件。在高性能運算需求方面，格羅方德將提供 FinFET 製程，從 14LPP 到 12LP，再到 7LP 等各節點的製程技術。
格羅方德首席技術長兼全球研發高級副總裁 Gary Patton 指出，目前 7 奈米製程的 7LP EUV 技術已有積極進展。7 奈米 LP 製程預期將比 14 奈米製程效能提升 40%、功耗降低 60%。目前，7 奈米測試良率已經提高到 65%，將按計劃進行 EUV 技術的商用和普及，並且與客戶 AMD 合作。
Gary Patton 坦言，在 EUV 技術上，格羅方德的 7 奈米製程確實面臨很多挑戰，包括如何進一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題，必須努力克服才能投入大規模量產，目標是將良率提高到 95%。格羅方德目前採取分階段採用 EUV 技術的策略，第一階段將不採用光罩防塵膜（pellicle），第二階段才會使用。
除了先進製程，傳統的成熟製程一般很難滿足所有應用的要求，物聯網（IOT）對低功耗的要求更高，因此低功耗高性價比要求的應用，格羅方德也針對物聯網、行動通信、射頻晶片提供 22FDX、12FDX 等製程解決方案。
Gary Patton 指出，目前格羅方德 20、22 奈米已進入量產準備階段，且 2018 年底前已有 15 個設計定案，並陸續有 135 家客戶展開初期接觸。他指出，目前 12FDX 性能已經 90% 達到目標，預計 2018 年下半年進入試產，2019 年上半年正式量產。
格羅方德在中國的布局方面，受矚目的成都晶圓廠 Fab 11（11 廠）廠房施工建設歷時 8 個多月，一期廠房即將於 11 月初封頂，項目進展十分順利。預計在 2018 年完工時，將成為中國境內最大的晶圓廠，並成為中國最先進 12 吋晶圓廠之一。同時，Fab 11 也將成為格羅方德 22FDX 製程的生產中心。
預計先期 Fab 11 會以生產 0.13 微米到 0.18 微米的主流成熟技術產品為主，每月產能為 20,000 片。到 2019 年下半年，將進行高度差異化的 22FDX（FD-SOI）製程量產，屆時產量將提高至每月 65,000 片。
（首圖來源：格羅方德）
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