NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 17 日 15:45 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 line share follow us in feedly line share
NAND Flash 市況好轉,中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發


日前,中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產,並正在擴充的產能,將儘早達成約產能 10 萬片的規模,並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今,長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標,就是將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作,不過,暫時沒有具體的目標時間表。