台積電 4 月 29 日公布 3 奈米製程細節,與三星正面對決一觸即發

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 26 日 9:00 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


在 7 奈米及 5 奈米節點,台積電豐收滿滿,競爭對手三星追趕始終無力挽回頹勢,三星決心將賭注押寶 3 奈米節點,日前宣布將採用 GAA 環繞柵極電晶體技術。台積電也非省油的燈,日前的法說會,台積電宣佈 2020 年資本支出約 150 億至 160 億美元,80% 將投入先進產能擴增,包括 7 奈米、5 奈米及 3 奈米等製程。雖然台積電沒有公佈 3 奈米製程細節,總裁魏哲家卻宣布,台積電 4 月 29 日在北美技術論壇將公布 3 奈米製程狀況,台積電與三星的 3 奈米製程戰爭一觸即發。

台積電 3 奈米製程最終選擇什麼技術,對半導體業來說非常重要。目前能深入 3 奈米製程節點的晶圓生產廠商只有台積電和三星。三星之前搶先宣佈 3 奈米製程技術發展,將會放棄 FinFET 鰭式場效應電晶體技術,轉向 GAA 環繞柵極電晶體技術。

外電報導,目前三星 3 奈米製程分 3GAE、3GAP 兩個世代,後發的 3GA 要比 3GAE 性能更強。首發 3GAE 是第一代 GAA 技術,根據官方說法,因是全新 GAA 電晶體結構,三星使用奈米設備製造出 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋─通道場效應管),可顯著增加電晶體性能,以取代 FinFET 電晶體技術。此外,MBCFET 技術還能相容現有 FinFET 製程技術及設備,加速製程開發及生產。

2019 年於日本舉行的三星晶圓代工論壇(SFF),三星還公佈未來 3 奈米製程的具體性能提升標準,也就是與 7 奈米製程相比,3 奈米製程可將核心面積減少 45%,功耗降低 50%,整體性能提升 35%。

三星日前宣布,計畫在 2030 年前投資 1,160 億美元打造非記憶體的半導體王國,但在 7 奈米及 5 奈米等製程節點都落後台積電,所以三星押寶 3 奈米節點,希望超越台積電成為全球第一大晶圓代工廠,三星對 3GAE 製程技術寄予厚望,預計最快 2021 年量產。

面對三星大舉投資的正面挑戰,台積電也在 3 奈米節點大舉投資,2019 年宣佈斥資 195 億美元興建 3 奈米廠,預計 2020 年正式開工。但關於 3 奈米製程技術的細節一直沒有透露,未來台積電是否會像三星選擇 GAA 技術,或繼續改進 FinFET 技術生產,兩種技術路線將影響未來許多高階晶片設計與發展,所以台積電 4 月 29 日的發表格外引人關注。

(首圖來源:科技新報)