挑戰三星、SK 海力士市場地位,美光開始規劃導入 EUV 曝光設備

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 03 日 10:00 | 分類 晶片 , 材料、設備 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


就在之前包括三星、SK 海力士等南韓記憶體大廠開始啟用 EUV 曝光設備進行記憶體的生產之後,現在美商美光科技現在準備也要加入採用 EUV 曝光設備的生產行列了。根據日前美光在財報會議上所說的,目前美光正跟 EUV 曝光大廠 ASML 展開採購談判工作,預計 2024 年將開始生產採用 EUV 曝光設備所生產記憶體。

根據美光科技總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 在日前的財報會議上的說法,過去美光一直在關注 EUV 曝光設備用於生產上面的進展,而且實際上之前也參與了 EUV 技術的生產發展。而在觀察到 EUV 曝光設備及整個生態系統成熟之後,美光就開始會在產品規劃中加入 EUV 曝光設備來進行記憶體的生產。

而在本次財報會議上,美光也已經在 2021 財年的的資本支出上略微提升到 95 億美元的金額,其中就是目前已經開始跟 ASML 談判購買 EUV 曝光設備的計劃。不過,現在美光方面還沒有公佈細節。還有 EUV 曝光設備現階段的供應吃緊,在晶圓代工大廠台積電、三星方面因為採購的數量較多,使得美光即便已經與 ASML 完成慘購談判,要正式取得設備則還要等等。

事實上,目前是台灣投資金額最大的外商美光,當前最新的記憶體生產技術並是不使用 EUV 曝光設備,而是採用上一代深紫外 (DUV) 曝光設備來生產記憶體。而這對於目前領先全球市佔率的南韓三星級 SK 海力士兩家記憶體大廠來說,非常關注美光不使用 EUV 曝光設備成功開發出 10 奈米級的 DRAM。因為 ASML 的 EUV 曝光設備每部造價高達 1.5 億美元,生產的記憶體會有較高成本。但美光採用 DUV 曝光設備就能生產同等級記憶體產品,產品成本較便宜,也較競爭力將更具優勢。而根據美光的計畫,EUV 曝光設備預計要到 2024 年才會導入,首發將會用於 1-Gama 的 10 奈米級製程記憶體上,而後面還會進一步擴展到更下一代的 1-Delta 的 10 奈米級記憶體生產中。

(首圖來源:官網)