追趕美光進度,SK 海力士宣布量產第四代 10 奈米級 DRAM

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 12 日 14:40 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


南韓記憶體大廠 SK 海力士今日官網宣佈,旗下第四代 10 奈米級(1a)製程 8Gigabit(Gb)LPDDR4 行動裝置專用 DRAM(動態隨機記憶體)產品已於 7 月初量產。

外媒報導,這是 SK 海力士首次採用極紫外光曝光設備 (EUV) 技術量產 DRAM 產品。SK 海力士預計下半年開始供貨智慧手機廠商第四代 10 奈米級(1a)製程的行動裝置專用 DRAM。

市場調查機構《Strategy Analytics》最新研究報告資料指出,2021 年第一季,全球智慧型手機 DRAM 市場總銷金額售額達 114 億美元,較 2020 年同期成長 21%。依市佔率排名,三星以 49% 排第一,SK 海力士排第二,美商美光位列第三。

不過先前南韓媒體報導,市佔排名第三的美光 6 月時就宣布量產第四代 10 奈米級(1a)製程 DRAM,並供貨 AMD 和 Acer,是世界第一家量產第四代 10 奈米級製程 DRAM 的公司。

相較南韓兩家廠商,目前是台灣投資金額最高的外商美光,最新技術不使用 EUV 曝光設備,而採用上一代深紫外 (DUV) 曝光設備。市場人士強調,因 ASML EUV 曝光設備每部造價高達 1.5 億美元,記憶體成本較高。美光採用 DUV 曝光設備就能生產記憶體,成本競爭力將更具優勢。美光量產第四代 10 奈米級製程技術的消息也震撼南韓業界。

面對美光,SK 海力士也投資 2 月落成的 M16 新晶圓廠,預計達 8,000 億韓圜(約新台幣 214 億元)設置生產設備,包括 EUV 曝光機,年底前達每月量產 1.8 萬片 12 吋晶圓。美光也不甘示弱,日前財報會議透露正與 ASML 展開採購談判,預計 2024 年使用 EUV 曝光設備生產記憶體。就發展趨勢觀察,記憶體大廠的 EUV 技術發展競爭將趨白熱化。

(首圖來源:SK 海力士)