IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術，預計突破 1 奈米製程瓶頸
作者 | 發布日期 2021 年 12 月 13 日 16:40 | 分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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IBM 與三星合作發表 VTFET 晶片設計技術，預計突破 1 奈米製程瓶頸

外媒報導，美國加州舊金山舉辦的 IEDM 2021 藍色巨人 IBM 與南韓三星共同發表「垂直傳輸場效應電晶體」(VTFET) 晶片設計。將電晶體以垂直方式堆疊，並讓電流也垂直流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並突破 1 奈米製程的瓶頸。

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