SK 海力士中國無錫廠提升製程擴產，卡關美國禁令藉運輸解決

隨著記憶體市場的復甦，韓國記憶體大廠 SK 海力士也為了進行擴產做準備，目前正在藉由先前美國給予的出口限制豁免，開始對中國無錫工廠進行製程升級的動作。另外，也進一步以運輸的方式，繞過至今美國仍對中國堅守的 EUV 極紫外光曝光機出口禁令。

根據韓國媒體引用市場人士的說法報導指出，SK 海力士計劃將中國無錫工廠一部分的 C2 晶圓廠產能，提升至採用 10 奈米級的第四代（1a）DRAM 製程技術，以為了接下來因應市場的需求進行擴產做準備。目前，中國無錫工廠是 SK 海力士最主要的生產基地，其產能約占 SK 海力士 DRAM 總產量的 40%。目前，該工廠正在生產 10 奈米級的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM 產品，屬於較舊製程技術。

報導指出，先前 SK 海力士預計將中國無錫工廠改造成生產 10 奈米級第四代 DRAM，或者更先進製程的目標並不容易，原因是受到美國中國所施行的半導體設備出口禁令所影響。美國政府自 2019 年起，禁止出口先進的半導體生產必備設備，例如 ASML 的 EUV 曝光機到中國境內。而 SK 海力士預計生產的 10 奈米級第四代 DRAM 就必須採用 EUV 曝光機，但由於無法將 EUV 曝光機引進到中國無錫工廠，因此無法用正常生產 10 奈米級第四代 DRAM。

然而，隨著 2023 年美國政府給予 SK 海力士相關的禁令豁免之後，SK 海力士開始能夠向其中國無錫工廠進口用於製造 18 奈米製程，或先進製程的 DRAM 的生產設備。不過，其中的 EUV 設備的仍然不被允許進口到中國境內，這使得 SK 海力士要生產 10 奈米級第四代 DRAM 仍舊卡關。

為解決這樣的問題，SK 海力士在製程轉換上選擇以「運輸」的方式來因應，也就是 10 奈米級製程的第 4 代 DRAM 部分生產在中國無錫工廠進行，之後生產出來的晶圓再被送回總部所在的韓國利川園區，進行 EUV 製程階段，然後再運回無錫完成過程。由於 EUV 製程在第 4 代 DRAM 產品中僅使用一層的曝光應用，所以就增加的成本來說將是 SK 海力士可以接受的。事實上，該公司在 2013 年中國無錫工廠發生火災期間，就曾經使用此方法克服 DRAM 生產中斷問題。不過，對於中國無錫工廠的製程轉換狀況，SK 海力士則表示無法確認具體的工廠營運計畫。

2013 年 SK 海力士中國無錫工廠發生火災，SK 就展示運輸巧妙運用。某些生產線完全破壞無法生產，部分晶圓成品就空運回利川工廠，再運回中國完成後續製程。火災使無錫廠產能降到每月 65,000 片，為原產能一半，但用運輸盡可能將 DRAM 供應風險降到最低，兩個半月內就恢復產能，顛覆業界對火災危機持續六個月至一年預期，也克服史無前例的 DRAM 供需危機。

如今，SK 海力士又上演十年前的戲碼。由於美國對中國的制裁，導致 EUV 曝光機無法引進到中國境內，使得中國無錫工廠的晶圓需要被被轉移到韓國利川工廠，生產 10 奈米級第四代 DRAM。半導體市場進入復甦階段，高性能晶片產能擴張刻不容緩，透過物流運輸，SK 海力士高性能晶片擴產也有可靠解決方案。

(首圖來源：SK 海力士)