聯電和英特爾 25 日共同宣布將合作開發 12 奈米製程平台，結合聯電在成熟製程的晶圓代工經驗，以及英特爾位於美國的大規模製造產能，預計 2027 年投產。
法人認為，此合作案有望發揮互補效果，有利雙方營運長期發展，惟短期內聯電仍面臨成熟製程殺價、產能過剩等挑戰，先保守看待2024年營運。
聯電25日發布新聞稿指出，此項12奈米製程將善用英特爾位於美國的大規模製造能力和FinFET電晶體設計經驗，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的強大組合。受惠於聯電在製程上的領導地位，以及為客戶提供PDK及設計支援方面的數十年經驗，得以更有效地提供晶圓代工服務。
公司表示，新的製程將在英特爾位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32廠進行開發和製造，透過運用晶圓廠的現有設備將可大幅降低前期投資，並最佳化利用率。
考量推進先進製程的資本支出大增，聯電於2017年宣布退出10奈米及更先進製程的軍備競賽，將技術止步在14/12奈米製程，積極轉向發展特殊製程，後續也讓公司收穫豐厚。近年公司擴產重心則放在28/22奈米，生產上主要鎖定台灣南科、新加坡兩地。
回顧美中貿易戰爆發後，中國全力發展28/22奈米以上成熟製程，加上前一波疫情推升的半導體擴產熱潮，使成熟製程出現產能過剩的雜音，2024、2025年正是大量產能開出的年度，而終端需求仍偏弱，目前中國晶圓廠殺價競爭幾乎是見血見骨。法人認為，聯電2024年須承擔高額折舊費用及價格壓力，短期營運仍需保守看待。
不過，長期而言，自美國掐住中國發展先進製程的咽喉後，目前全球具備16/14/12奈米製程節點技術，且可取得兵器擴產的公司，僅剩台積電、英特爾、三星、格羅方德、聯電等。對聯電而言，公司早已具備該製程技術，透過與英特爾的緊密合作、取得產能，可省下資本支出，並拓展新市場。
英特爾方面，則持續展現在晶圓代工事業的野心，目標2030年成為全球第二大晶圓代工廠。經由與聯電的合作，有望引進更多有意進行技術升級的客戶，也為產能找出海口，因此雙方可發揮互補效果。值得注意的是，該製程預計2027年投產，期間內除政經變數外，兩大廠如何進行磨合、順利取單，都是需觀察的重點。
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